半导体制造技术第一章：绪论.pptVIP

集成CMOS器件结构 （包括PMOS和NMOS结构） 先进的70nm集成CMOS器件结构 4. 双极型IC和MOS IC优缺点 双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗较大 CMOS集成电路 速度高、驱动能力低、功耗低、密度高、电源电 压范围宽、输出电压幅度宽、与TTL电平兼容 BICMOS集成电路 集上述两种电路的优点，但工艺复杂，制造成本 高。 §1.3 硅和硅片制备 1. 硅元素 第三周期IV A族元素 熔点1414oC，半导体禁带宽度1.12eV 地球储量第二多的元素：26% 主要以二氧化硅的形式存在：水晶、砂、玻璃 自然界的硅不能满足集成电路制造的需要 提高纯度（去掉杂质元素） 形成单晶结构 2. 硅的提纯：西门子工艺 半导体级硅的纯度99.9999999％（9个9），但其结构是多晶硅结构，不能使用。要经过晶体生长，形成单晶结构才能使用。 西门子工艺提纯装置 3. 晶体结构 晶体的原子排列 内部原子有规则在三维空间重复排列 非晶体原子排列 内部原子排列杂乱无规则 晶胞是组成晶体的最小重复单元。 硅晶胞 多晶和单晶 多晶硅结构 单晶硅结构 单晶：晶胞在三维空间整齐重复排列，这样的结构叫做单晶。 单晶的原子排列长程有序。 多晶：由大小不等的晶粒组成，而晶粒由晶胞在三维空间整齐重