半导体物理基础 双极结型晶体管.ppt

半导体物理基础 双极结型晶体管

Chap3 双极结型晶体管 发展史 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley) 1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美得洲仪器公司(TI) 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-(吉林大学 高鼎三) 1970年硅平面工艺成熟,双极结型晶体管大批量生产 晶体管与场效应晶体管的区别 晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件;而场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件。 由于场效应管的工作电流和电压都可以很小,且在工艺上易于集成,因此在大规模集成电路中占主导地位。 但是结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。 3.1双极结型晶体管的结构 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 由两个相距很近的PN结组成,基区宽度远远小于少子扩散长度,分为:NPN和PNP两种形式 发射区为重搀杂,发射结为P+N或者N+P,基区是两个PN结的公共端。 双极晶体管的主要作用是对电流或

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