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- 2017-07-16 发布于四川
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缓冲电路波形 IGBT采用缓冲电路后典型关断电压波形如图所示。图中,VCE起始部分的毛刺ΔV1是由缓冲电路的寄生电感和缓冲二极管的恢复过程引起的。其值由下式计算: ΔV1=LS×di/dt(1) 式中:LS为缓冲电路的寄生电感; di/dt为关断瞬间或二极管恢复瞬间的电流上升率,其最恶劣的值接近0.02Ic(A/ns)。 5-* 采用缓冲电路后IGBT关断电压波形 缓冲电路波形 5-* 如果ΔV1已被设定,则可由式(1)确定缓冲电路允许的最大电感量。例如,设某IGBT电路工作电流峰值为400A,ΔV1≤100V, 则在最恶劣情况下, di/dt=0.02×400=8A/ns 由式(1)得 LS=ΔV1/(di/dt)=100/8=12.5nH 图中ΔV2是随着缓冲电容的充电,瞬态电压再次上升的峰值,它与缓冲电容的值和母线寄生电感有关,可用能量守恒定律求值。如前所述,母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感,在IGBT开通时储存的能量要转储在缓冲电容中,因此有 LPI2/2=CΔV22/2(2) 式中:LP为母线寄生电感; I为工作电流, C为缓冲电容的值; ΔV2为缓冲电压的峰值。 缓冲电路波形 从式(1)和式(2)不难看出,大功率IGBT电路要求母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感愈小愈好。这不仅可以降
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