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*/40 電子學 第八版 Floyd 第十章 耦合電容的影響 耦合電容與訊號串聯，並且是高通網路的一部分。 它們會影響放大器的低頻響應。 摘要 C1 等效的電路是一個高通濾波器： C3 與 (RC + RL) 形成了另一個高通濾波器。 耦合電容的影響 對於FET，因為輸入電阻高，輸入耦合電容幾乎都很小。 輸出電容則視汲極及負載電阻的大小，其值可大可小。 摘要 如電路所示，因為閘極輸入阻抗如此的高，所以輸入的等效低通濾波器就是 C1 與 RG 串聯。 旁路電容的影響 旁路電容在低頻時會造成增益的衰減，並且有一個高通頻率的響應。旁路電容「看」到的電阻包括 RE， re’，以及偏壓電阻。 摘要 C2 等效的高通濾波器是: 一個射極旁路電阻如何影響響應？ 因受R 的值增加， fc 值將降低。 內部電容 一個放大器的高頻響應取決於內部接面電容值。 這些電容值，加上外接電阻，形成了低通濾波器。 摘要 有時設計者也會特意地外加一個並聯電容來減低高頻的響應。 米勒定理 米勒定理指出, 在反相放大器裡, 輸入及輸出端之間的電容值與分離的輸入及輸出到地的電容值等效。 摘要 Av 是增益的絕對值。 對於輸入電容, 增益對等效電容有很大的影響, 而等效電容在使用反相放大器時是一個很重要的考慮因素。 米勒定理 米勒定理的效應是一個接地的等效電容，將高頻旁路到地，使增益隨頻率的增加而降低。 摘要 一個增益為 25 的 2N3904 反相放大器，其輸入電容值為何？ 假設 Cbc 的值為 4 pF，Cbe 的值為 6 pF。 Cin = Cbc(Av + 1) + Cbe Cin = 4 pF(25 + 1) + 6 pF = 110 pF 分貝 分貝是兩功率的對數函數的比值，用於電子產品中增益及衰減的測量。分貝也可以在相同的阻抗下，用電壓的比值來表示。 摘要 用分貝來表示功率增益的公式是 Ap(dB) = 10 log Ap 用分貝來表示電壓增益的公式是 Av(dB) = 20 log Av 分貝 有時候, 0 dB 被用來做為方便比較的參考值。 然後, 其他的功率或電壓值則相對於 0 dB 來表示。 摘要 一些值得牢記的分貝比值如下： -20 dB -10 dB 0.1 -6 dB -3 dB 0.5 20 dB 10 dB 10 6 dB 3 dB 2 0 dB 0 dB 1 電壓增益, Av 功率增益, Ap 比值 -3 dB 功率增益相當於一半的功率衰減。 而此時的頻率則稱為臨界頻率。 低頻響應 在耦合電容放大器裡,耦合及旁路電容將會影響到低截止頻率。 這些電容與電路的電阻形成了一個高通濾波器。典型的 BJT 放大器有三個高通濾波器。 摘要 譬如說， 輸入耦合電容與輸入電阻形成了放大器的一個高通濾波器： 低頻響應 摘要 RC 輸出電路是由串聯集極及負載電阻外加輸出電容組成。 由輸出電路所形成的截止頻率為 低頻響應 由 C1 造成的下截止頻率為何? 摘要 假設 re’ = 3.5 W 而且 b = 200。 RE1 沒有被旁路, 故加入到 re’ 得到： = 2.77 kW 57 Hz 低頻響應 旁路 RC 電路響應可以藉由觀察充電/放電的路徑找到。 摘要 在這個電路中, 有一條路徑經由 RE2。 第二條路徑經由 RE1， re’， 以及偏壓電阻加上源電組(源電組未顯示)並聯的組合。 路徑總電阻的值為: 低頻響應 摘要 藉由旁路 RC 電路所造成的臨界頻率為何? (假設 Rs = 600 W，b = 200 ，以及 re’ = 2.6 W)。 = 79.7 W 42.5 Hz 低頻響應 摘要 FET 的輸入 RC 電路是一個由偏壓電阻及輸入耦合電容組成的基本高通濾波器。 FET 閘極電路有極高的電阻，可以省略不考慮。 由 RC 電路形成的臨界頻率為何？ 1.6 Hz 波德圖 摘要 波德圖是一種電壓增益分貝與頻率之間的關係圖。頻率的軸是對數；分貝增益以線性的方式畫出。 -3dB 的位置就是臨界頻率。 波德圖 摘要 Multisim 有個稱為波德圖具的假想儀表。這是之前的 BJT 放大器。 波德繪圖具讓你可以直接看到波德圖。選擇適當的比例，可以放大響應。 將游標移到離中頻帶 – 3dB 響應的位置並讀出 fc。 連接繪圖具保持平衡的輸入到戴維寧汲極的左邊。 將游標移到較中頻帶低3dB響應的位置並讀出 fc 高頻響應 摘要 反相放大器的高頻響應主要取決於電晶體內部的電容及其米勒效應。 分壓器偏壓共射極放大器及完全旁路的射極電阻，其等效的高頻交流電路如下所示。 高頻響應 摘要 如果在前頁的例題中加接一個沒有旁路的射極電阻 RE1，它在射極電路中會加增 re’ 的值，因而減低了 fc. 高頻響應 摘要 在完全旁路的例題