GaSe 晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响.PDF

36 3 Vol. 36 No. 3 第 卷 第 期 发 光 学 报 2015 3 Mar． ， 年 月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE 2015 文章编号:1000-7032 (2015)03-0361-05 GaSe 晶体的双光子吸收对太赫兹输出的影响 1 ，2 1* 1 1 1 1 ， ， ， ， ， 姜 可 谢冀江 杨贵龙 谢京江 李殿军 陈 飞 (1． ， 130033 ; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激光与物质相互作用国家重点实验室 吉林长春 2． ， 100049) 中国科学院大学 北京 摘要: ， GaSe 0． 2 ～ 2． 5 THz 。 根据光整流效应 利用超快激光脉冲泵浦 晶体实现了 的宽带太赫兹辐射输出 禁 800 nm ， ， 带中的电子在两个 光子的作用下激发到导带中形成自由载流子 进而吸收所产生的太赫兹辐射 最终 。 ， 800 导致太赫兹的输出随泵浦功率的增加而趋于饱和 为了研究双光子吸收对太赫兹输出的影响 测量了 nm GaSe ， 0． 165 cm /GW 。 ， GaSe 处的 晶体的双光子吸收系数 结果为 通过对太赫兹输出实验数据的拟合 得到 晶体中自由载流子对太赫兹输出的吸收截面为1 × 10 － 15 cm2 。本文的研究结果可用于优化GaSe 晶体在强激 光泵浦下的太赫兹转换效率。 :GaSe ; ; ; 关 键 词 晶体 双光子吸收 太赫兹 吸收截面 中图分类号:O437 ;TN248 文献标识码:A DOI :10． 3788 /fgx 0361 Two-photon Absorption Attenuated THz Generation in GaSe JIANG