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14 3 Vo.l14, No.3
2008 6 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Jun., 200 8
:1007 -4252 (2008 )03-0609 -05
Sn GeSbTe
2 2 5
1, 2 1 1, 2 1 1 1 3
徐成 , 刘波, 冯高明 , 吴良才, 宋志棠 , 封松林, BomyChen
(1.中国科学院上海微系统与信息技术 究所,纳米技术 究室, 上海 200050;
2.中国科学院 究生院, 北京 100039;
3.SiliconStorageTechnology, Inc.1171 SonoraCour,tSunnyval,eCA94086, USA)
:采用 0.18 μm标准工艺制备出基于 Sn掺杂 GeSbTe相变材料的相变存储器器件单元, 利
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用自行设计搭建的电学测试系统 究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变 GeSbTe的
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相变特性, 其相变阈值电压和阈值电流分别为 1.6 V和 25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与
晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为 1.78mA(电流宽度固
定为 100 ns)、结晶时间大于 80 ns(电流高度固定为 3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为 30 ns
时,所需电流大于 3.3mA;与 GeSbTe相比, Sn的掺杂降低了 SET操作的脉冲电流宽度,提高了
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结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。
:Sn掺杂;GeSbTe;相变存储器;器件单元;存储性能
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:TN303 :A
Storagecharacteristicsofphasechangememorycells
basedonSn-dopedGeSbTe
2 2 5
1, 2 1 1, 2 1 1 1 3
XUCheng, LIUBo, FENGGao-ming, WULiang-cai, SONGZhi-tang, FENGSong-lin, BonnyChen
(1.InstituteofMicrosystemandInformationTechnolog,yChineseAcademyofScience,sShanghai
200050, Chin;a2.GraduateSchoolofChineseAcademyofScience,sBeijing100039, China;
3.SiliconStorageTechnolog,yInc.1171 Son
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