X光共振散射在半导体量子材料研究之应用 - NSRRC.PDF

科學研究 X光共振散射在半導體量子材料研究之應用 X光吸收光譜是研究物質化學成份（composition）以及化學鍵結狀態（chemical state）的有力技術， 然而其所提供的資訊來自樣品中所有曝光部份的平均值，欠缺原子排列與化學結構間的直接關連。 結合具有結構解析能力的X光散射和化學選擇性（chemical specificity）的能譜學技術而發展出來的 實驗方法 - X光共振散射，可以兼具二者的長處，直接建立原子結構與化學成份間的關連性，本文 以GaAs量子線（quantum wires）為例，說明X光共振散射在量子材料研究上的應用。 徐嘉鴻、湯茂竹、李信義、黃志謀、梁耕三（研究組、光束線組） 當物體的大小與其組成物質的物質波波長相當時， GaAs在In0.53Ga0.47As緩衝層（buffer layer ）上，而此 [1] 量子效應變成決定材料物、化、光、電等各種特性的 緩衝層的晶格常數與其下的InP （001 ）基板相同 。 關鍵性因素。以IV及III-V族半導體為例，其物質波長 已知GaAs與InP均屬閃鋅礦（zinc-blende ）結構，其 約為20∼40奈米（nano-meter ，nm ）。當一半導體 塊材的晶格常數aGaAs和aInP分別為5.65325及5.8686 Å ， 物體沿二個方向其大小在此尺度內時，稱之為半導體 兩著之間有一 -3.7% 的晶格差（lattice mismatch ）， 量子線，其特性與的巨觀塊材（bulk ）截然不同，其 因此預期GaAs會承受一張應力（tensile stress ），在 電子能態密度（electronic density of states ）分佈不似 此條件下沉積量剛超過二維轉三維生長的臨界厚度∼ 塊材形成能帶，而是由不連續能帶組成。 3ML時，基板的表面均勻的佈滿相互平行的量子線。 目前最常被採用來生長半導體量子線的方法是自 原子力顯微鏡（Atomic Force Microscopy ，AFM ）量 行組成（self-assembly ），此方法利用沉積材料與基 測到的影像（圖一a ）顯示這些奈米線平均間距約為 板間適當的晶格參數差，系統藉由彈性變形抵銷因表 23 nm ，延伸長度則可超過數微米（micro-meter ，µm ）。 面積增加而引致的能量增加。在系統的變形量尚未大 圖一 b所示為掠角入射小角度 X 光散射（ Grazing 到需藉由缺陷的產生而造成塑性形變（ plastic Incidence Small Angle X-ray Scattering ，GI-SAXS ）在 deformation ）來降低彈性能（elastic energy ）時，沉 樣品表面上的二維強度分佈圖。除了原點附近之外， 積材料的原子排列與基板間維持固定的關係，即所謂 散射訊號的分佈集中在q220軸上，在q220∼±0.0273 Å-1 的同調結構（coherent structure ），在這種情形之下， 處各有一干涉峰存在。由於小角度散射是一種量測物 彈性能與表面能（surface energy ）二者相互競爭的 體在數奈米到次微米這個尺度內密度變化的技術，與 結果造就“自組成量子結構”的形成，而這些量子結 原子排列無關，因此我們所量測到的是表面型貌的變 構的種種參數以及衍生的獨特物理及化學性質可藉由 化，無關於應變的分佈。散射強度分佈顯示沿著〔220 〕 生長條件的控制來有效地調變。自組成量子線的穩定 方向表面結構呈規則排列，由干涉峰的位置推算存在 態尺寸、形狀和內部應變場以及成份的的分佈是決定 一週期為23 nm的有序結構，與AFM