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第3章 场效应管放大电路 场效应管FET与三极管BJT的区别 3.1、结型场效应管 3.2、绝缘栅场效应管MOS 3.3 场效应管的主要参数 半导体三极管图片 3.4 场效应管放大电路 2、微变等效电路 3.4.2 共漏组态基本放大电路 3.4.3 共栅组态基本放大电路 跨导gm 跨导gm = ? ID / ? UGS 场效应管放大电路 FET的直流偏置电路及静态分析 1.直流偏置电路 FET是电压控制器件，因此它需要有合适 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： a.自偏压电路； b.分压器式自偏压电路。 (1)自偏压电路 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在VGS=0 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:VGS = -?D R。电容 C对 R起旁 路作用，称为源极旁路 电容。 (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 如图所示，静态时加在 FET上的栅源电压为 : 例题： 例: (南京航空航天大学2000年研究生入学 试题)场效应管是( )控制元件，而双极 性三极管是( )控制元件。 答案：(电压)，(电流)。 例: (北京交通大学1997年研究生入学试题) 在放大电路中，场效应管工作在( )区。 答案：(饱和区或恒流区)。 例: 一个场效应管的输 出特性如图所示，试分 析: (1)它是属于何种类型的 场效应管； (2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压VP )大约是多 少？ (3)它的饱和漏极电流?DSS是多少? 解：由场效应管输出特性可看出， (1)VGS在正负电压一定范围内变化时，有 ?D 输出，所以是绝缘栅N沟道耗尽型场效应管。 (2) VGS=-3V时， ?D=0, 所以VP= -3V。 (3) ?DSS≈6mA。 讨论： 根据特性曲线中，VGS=0时，iD不等于0， 而且，VGS可正可负，可以判断这个管子时耗 尽型绝缘栅场效应管；又根据VGS从负到正改 变时，iD 相应地有小到大改变，可见它是 N 沟道。夹断电压和饱和特性可直接从特性曲 线上看出。 例: 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 是什么 ?增强型的场效应管能否用自给偏压的 方法的静态工作点？ 答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大 到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之 后，才有漏极电流?d;耗尽型 MOS管的导电沟道 是在 VGS= 0时已经形成，极栅源电压为零时才 有较大漏极电流?d,其VGS值可正可负。 增强型的场效应管不能用自给偏压的方法 获得静态工作点。 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V = ? ID / ? UGS =（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V ? UGS ? ID 场效应管放大电路 1 电路的组成原则及分析方法 (1).静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区 (2).动态: 能为交流信号提供通路 组成原则 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 符号及特性曲线 G S D ID UDS UGS G S D UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V Q ? ID = gm ? UGS id=gmugs ID = gm UGS 2 场效应管的微变等效电路 G S D S G D rDS id rDS = ? UDS / ? ID 很大，可忽略。 场效应管的微变等效电路 压控电流源 S G D id 3 静态分析 无输入信号时（ui=0），估算：UDS和 ID。 +UDD=+20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150K 50K 1M 10K 10K G D S 10K ID UDS R1=150k? R2=50k? RG=1M? RD=10k? RS=10k? RL=10k? gm =3mA/V UDD=20V 设：UGUGS 则：UG?US 而：IG=0 +UDD+20V R1 RD RG R2 150K 50K 1M 10K RS 10K G D S 所以： = 直流通道 ID UDS IG 4 动态分析