五、 查验与验收.DOC

國家奈米元件實驗室 招標規範書 目錄 頁次 2 二、 規範： 2 三、規格審查： 12 五、 查驗與驗收： 12 六、 保固： 15 七、規範書釋疑聯絡人 一、 說明： 本規範適用於財團法人國家奈米元件實驗室本次採購之真空薄膜濺鍍機系統，其他詳如章節詳細規定；本規範如有任何疑問依業主解釋為準。 二、 規範： 系統需求： 機台基本系統( Basic system )： 機台基本系統至少需具備以下主要模組： 真空取放腔體 ( Load lock ) ㄧ組。 晶圓傳送六邊型腔體 ( Transfer ) ㄧ組。 晶圓濺鍍製程(RF sputter rocess ) 兩組。 真空抽氣系統 ( Pumping ) 一組。 設備操控系統 ( Operation Control system ) 一組。 安全連鎖裝置 ( System interlock ) 一組。 適用晶片規格 尺寸：六吋晶圓、四吋晶圓、四吋方型玻璃、25mm正方玻璃。 厚度：晶圓 225 ~ 750 μm，玻璃片 1~ mm。 鍍膜種類： 不需更換靶材即可同時具備兩種鍍膜: 氧化鋅(ZnO)及含鋁氧化鋅AZO(2%wtAl-doped ZnO) 。由得標廠商提供靶材，靶材，。 製程行程需同時具備以下兩種模式： 平行模式 –不同靶材可同時分開鍍膜於不同晶圓。 連續模式 –不同靶材可連續鍍膜於同ㄧ晶圓上，且該晶圓於製程結束前，不得離開真空環境。 硬體基本需求：模組化設計，容易維修保養，並附必須之維修工具。 安全連鎖裝置至少須包含以下範圍： 電源power。 真空閥件。 基座加熱裝置。 真空壓力差。 冷水流。 供氣壓力。 各腔體需經洗淨重複使用之物品(如:製程腔體遮板)，需額外提供的備品壹套，並附清單。 定期保養使用之消耗品，須附加ㄧ年存量，並附清單。 。 硬體規格： 得標廠商使用的部品須符合或優於以下所訂規格，且皆須為新品： 真空取放腔體( Load lock )： 腔體內可放置單片六吋晶圓或其它試片載具,規格如.2所述。 可提供大氣與真空交換的環境，具晶圓取放及降溫功用。 具備二段式抽氣功能( slow 及 fast pumping )。 真空抽氣( pumping )及釋氣( vent )速率可調整。 抽氣時間於5 分鐘以內，真空值須達到 5-2 Torr以下。 使用為 vent 氣體，vent 至大氣壓時間小於 5 分鐘， 晶圓取出時溫度需小於 60℃ ( 以製程溫度 300℃ 為基準 )。 真空抽氣系統具粗抽系統及細抽系統。 具備真空計監測真空值。 具備一粗抽系統為油式幫浦。 每個腔體可獨立運作 (其中一個異常，不影響另一個的運作)。 具晶圓於沉積製程前預熱( Pre-Heat )及釋氣( Degas )功能。 晶圓預熱功能具溫控器且可加熱至00℃±5%以上(含)。 具有晶圓完成製程條件後，將晶圓快速降溫功能，降溫條件可調整。 使用 N2為降溫氣體，氣體流量可調整。 降溫時間需於分鐘內，晶圓溫度小於120℃ (以製程溫度300℃為準)。 晶圓傳送腔體：(含真空傳送機構) 晶圓傳送機械手臂(Robot),廠牌為BROOKS Mag-7、JEL SVCR-3260-040-PM 或同等級。 晶圓傳送機械手臂可在真空環境中傳送晶圓。 具備手動上開式門。 真空機械手臂需有出力保護機制，於設備誤動作時，不得傷及手臂本體( robot arm )。 真空抽氣系統具粗抽系統及細抽系統。 具備一台細抽系統用冷凍幫浦( Cryo pump ) 。 具備真空計監控腔體真空度值。 具備監看視窗( view port )，可用肉眼監看晶圓傳送動作。 具備晶圓傳送偵測裝置，可偵測掉片及破片。 腔體為六邊型。 腔體材質為鋁或不鏽鋼材質。 具備Bellow 密封的真空隔絕閥( isolation valve )。 所有真空腔體管件，閥件，壓力及流量整裝置皆需經超潔淨洗淨(ultra clean)。 傳送機構可運轉壓力範圍由大氣壓 ~ 1-8 Torr。 所有閥件以容易拆裝維護為原則。 預留三個擴增口，預留可擴充手套箱、。 晶圓濺鍍製程腔體兩套,單套規格如下： 鋁質或不鏽鋼材質腔體，內部電解拋光處理，可執行單片六吋晶圓或其它試片載具(規格如.2所述)薄膜濺鍍沉積製程。 具備獨立的 RF 1kW以上電源供應器(含Match box)，廠牌為AE、ENI、SEREN或同級品，國內需有代理商可維修。 具8吋Sputter Gun(magnetron sputtering)，廠牌為Angstrom、Gencoa或同級品。