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副边加电容的倍流整流不对称半桥的直流偏磁建模分析 房顶伟 龚春英 姜振华 （南京航空航天大学航空电源重点实验室 210016 ） 摘要：倍流整流不对称半桥由于电路结构简单、元器件少，利用变压器漏感和开关管的寄生电 容很容易实现软开关，而在中小功率运用很广；但由于不对称半桥的互补不对称控制以及实际 两个滤波电感的等效电阻不等使变压器存在较严重的直流偏磁。本文提出了一种在副边加电容 的电路来解决直流偏磁，通过状态空间平均法进行建模分析，并给出了仿真结果。 关键词：不对称半桥；倍流整流；直流偏磁； Abastract:Asymmetrical half-bridge converter which is simple and few components with a current doubler rectifier is easy to achieve soft-switching by the leakage inductor of transformer and Mosfets’ capacior..However, the DC current sharing between two inductors of the current-doubler rectifier cannot he achieved due to unbalanced DC resistive parameters and asymmertical control.. In this paper, a modified asymmetrical half-bridge DC-DC converter is proposed and verified by an established steady-state mathematical model. Simulation results shows that the current sharing and zero DC transformer magnetizing current arc achieved. Keywords:Asymmetrical Half-bridge converter;current doubler rectifier;DC current; 1 引言 不对称半桥电路结构简单、利用变压器漏感和开关管的寄生电容很容易实现零电压 开关[1] ，而倍流整流可以有效的减小输出电流纹波，近年来，在低压输出的中小功率变换场 合得到 [2] 。但由于不对称半桥的互补不对称控制方式使变压器存在偏磁问题而影响变压 运用 器的利用率，加上倍流整流的两个滤波电感的实际电阻存在不一致，故实际流过两个滤波电感 的平均电流存在不均衡问题，文献[3]研究表明倍流整流不对称半桥电路如图 1(a)所示流过两 个滤波电感的平均电流分别为 R L 2 和 R L 1 ，偏磁电流为 I I I I L 1 o L 2 o R + R R + R L 1 L 2 L 1 L 2 I (1 − D ) R L 1 − D R L 2 I [1 ] ，其中R L 1 、RL 2 和D 分别为两个滤波电感电阻和Q1 管的占空 M 0 ( R L 1 + R L 2 ) n 比，实际工程中，滤波电感电阻很难控制成完全一致，且占空比必小于0.5，故直流偏磁很难 避免，而偏磁对元器件温度的不平衡和变换器效率有很大的影响，更为严重的是，偏磁电流过 大可能会导致变压器的饱和而损坏元器件[ 4 ] 。本文提出了在变压器副边加电容完全解决直流 偏磁，电路如图1 所示，并利用状态空间平均法来进行建模分析。 图1(a)倍流整流不对称半桥电路