基于化合物半导体材料高速光开关的研究-北京锦坤科技有限公司.PDF

基于化合物半导体材料高速光开关的研究 北京锦坤科技有限公司 摘要 高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器 件的理论分析模型, 并基于GaAs 材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs 双异质结结 构,研制了工作波长在 1.55 μm 的X 结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试 结果表明, 开关的消光比均超过20 dB, 开关速度达到10 ns 量级. 关键词：光开关，全内反射，多模干涉，载流子注入 光纤通信技术已成为当今通信网络的支柱, 并形成了巨大的应用市场. 作为光纤通信网络中关 键光器件之一, 光开关及光开关阵列一直是研究与开发的重点[1], 要实现光分组交换层次上的 全光通信,高速光开关及其大规模阵列是必不可少的器件. 基于各种物理效应和原理与, 已经研 制出了多种光开关. 其中除了最传统的机械式光开关, 基于微机械技术(MEMS)的光开关、基于 二氧化硅或有机聚合物材料热光效应的光波导开关、基于液晶技术的光开关等也已经实现产品化. 这些光开关在消光比、损耗、偏振依赖以及集成度等性能方面都已经达到相当好的水平, 然而开 关速度较慢, 主要为ms 量级. 光分组交换等全光通信网研究需要有ns 量级光开关, 因此高速 光开关及其阵列研究一直是人们非常关注的课题. 化合物半导体材料不仅用于高速微电子器件,而且广泛用于光电子器件及高速光波导器件, 化合 物半导体材料是潜在的最佳光子集成/光电子集成平台之一. 30 多年来基于GaAs 和InP 系列 化合物半导体材料的光波导器件及相关集成技术一直是集成光波导器件领域的研究主题[2], 也 是高速光开关研究的主要方向[3]. 基于化合物半导体材料的高速光波导开关, 工作原理上主要 可归纳为利用材料的电光效应、载流子注入效应[4~8]. 由于化合物半导材料的电光系数较小, 基 于这一效应的光波导器件或者是尺寸相对较大, 或是驱动电压较高. 另外, 与铌酸锂的电光效应 一样, 化合物半导体的电光效应也是偏振相关的. 在1.31~1.55 μm 通信波段, 化合物半导体材 料的载流子注入效应所能够产生的折射率变化比电光效应高二个数量级. 当注入载流子密度达 1018cm−3 量级时, 折射率变化可达10−2[9], 而且与波长、偏振无关. 采用载流子注入效应的 光开关, 其开关速度主要取决于载流子的寿命, 开关速度很容易达到ns 量级[10]. X 结全内反射型开关具有数字响应, 波长、偏振不敏感, 工艺容差大以及器件尺寸小等优点. 基 于这些优点, 人们在各种材料上对全内反射型光开关进行了研究[8,11,12]. 化合物半导体中的载 流子注入效应很容易产生较大的折射率变化, 基于化合物半导体材料的X 结全内反射型光开关 可以采用更大的交叉角, 使得器件结构更为紧凑. 采用了多模干涉(MMI)3 dB 耦合器的马赫曾 德干涉型(MZI)光开关继承了载流子注入效应和多模干涉结构偏振、波长不敏感[13]的优点, 同时 具有低功耗的特点. 本文首先介绍了在全内反射型光开关的分析模型上所做的一些理论工作. 然后介绍了基于GaAs 的载流子效应研制的X 结全内反射型以及马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 1 全内反射型光开关的理论分析模型全内反射型光波导开关的研究已有30 多年的历史, 在多 种材料上都设计和制作过这种结构的光开关, 但其性能一直不理想. 我们认为, 造成这种结果的 一个重要原因是对其工作机制缺乏透彻的理解.如常见采用平面波展开法来计算反射场和透射场, 这种方法对分析自由空间中光束反射问题是有效的,但用它分析全内反射光波导型开关则存在以 下问题: ( ⅰ) 平面波展开法要求入射光束的发散角小于光束入射角的余角, 否则展开后会有相当部分的 平面波分量无法正常入射到反射区, 只能通过设置入射光束的发散角小于光束入射角的余角这 一前提来回避这个问题. 然而在全内反射型光波导开关中, 由于入射光为窄光束, 且入射角接 90°, 往往不满足这一条件. ( ⅱ) 平面波展开法的另一前提是对反射的分析必须在自由空间. 在波导型光开关中