基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术-宁波大学学报》（理工版.PDF

下载文档

3
0
约1.76万字
约 6页
2017-08-05 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术-宁波大学学报》（理工版.PDF

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术-宁波大学学报》（理工版

263, 20137 Vol.26 No.3, July 2013 JOURNAL OF NINGBO UNIVERSITY ( NSEE ) * , , , 315211 : , . , . MOS , MOS CMOS , . HSPICE 45 nm PTM 8, 39~44. . : ; ; ; : TN402 : A : 1001-5132201303-0045-06 , , MOS (moderate . inversion), [9-11]. , , , MOS , , CMOS [1-3]. CMOS , , CMOS 3 . , : [12], MOS . . [4], , . , . , , [13-14]. . , , , , , , [15]. , , [15], [5-8]. . —– (near- NMOS PMOS threshold compute), MOS , . , ,