基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性.PDF

第34 卷 第7 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.34 No.7 2015 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jul. 2015 研 究 与 试 制 基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性 王 小 羊 （泰州学院，江苏 泰州 225300） 摘要: 采用量子输运模型和 NEGF 理论，自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对类 MOS-碳纳米管场效应晶体管 的电子输运特性建模。考察了沟道长度 Lg 为 5~25 nm 时，其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流 开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明：当Lg ≥15 nm 时，MOS-CNTFET 没有量子尺寸效应；当Lg ＜15 nm 时，器件出现短沟道效应；Lg ＜10 nm 时短沟道效应更加明显。 关键词: 碳纳米管；场效