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晶体规格
TEL:0086 551 FAX :0086 551
E-mail :info@ P.C. :230022
掺铥铝酸钇晶体(Tm:YAP)晶体
Tm:YAP 晶体中文名掺铥铝酸钇晶体,Tm:YAP 晶体具有2 微米波长固体激光源的理想介
质,Tm:YAP 的H4 和F4 能级的自淬灭机制可在上能级产生双光子激发,这就潜在地使得激
光获得了高量子效率的有效途径。Tm:YAP 晶体的H6 和H4 能级的吸收带峰值为795nm,非
常适宜于高功率的AlGaAS 激光二极管泵浦。 而Tm:YAP 晶体宽度的吸收峰值也要比
Tm:YAG 晶体宽些,使得Tm:YAP 晶体即使在二极管波长飘逸变化的情况下也是一种理想
的激光物质。
Tm:YAP 晶体发出的激光波长与晶体方向有关。最常见的切割方向为a 方向和b 方向。
Tm:YAP 晶体 “a 切割 “b”切割
吸收峰值 794.8nm 793.5nm
峰值有效泵浦吸收系数(4 % Tm ) aa=3.6/cm aa=3.3/cm
发射波长峰值 1.98μm 1.98μm
Tm:YAP 晶体的优势:
1) 物化性能优良;
2) 2m 波段激光输出效率高于Tm:YAG;
3) 直接线偏振光输出;
4) LD 泵浦吸收带宽比Tm:YAG 晶体宽4nm;
5) 795nm 泵浦吸收带比常用的AlGaAs 二极管发射波长匹配好。
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技术指标:
掺杂浓度 Tm: 0.2~15at%
晶向 [010]或[100] (Pnma),偏差5°以内
直径2~10mm, 长度2~100mm
晶体尺寸
可按客户要求定制
波前畸变 ≤0.125/25mm@632.8nm
消光比 ≥25dB
尺寸公差 直径:+0.00/-0.04, 长度0.5mm
柱面加工 精磨或抛光
端面平行度 ≤10
端面和棒轴垂直度 ≤5′
端面平面度 /8@632.8nm
表面光洁度 10/5 (MIL-O-13830A)
倒边 0.15±0.05mm
增透膜反射率 ≤0.25%
光谱特性:
光学跃迁 3 3
F H
4 6
吸收截面 3.7~8.5 x 10-21cm2
荧光寿命 4.4~7.7ms
发射截面 5~6 x 10-21cm2
发射波长 1.98m@a 轴,1.94m@b 轴
二极管泵浦波长 794.8nm@a 轴,793.5nm@b 轴
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