河南新乡华丹电子有限责任公司CSK596II 型N 沟道结型FET 说明书.PDF

下载文档

89
0
约4.19千字
约 2页
2017-08-05 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

河南新乡华丹电子有限责任公司CSK596II 型N 沟道结型FET 说明书.PDF

1、本文档共2页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

河南新乡华丹电子有限责任公司CSK596II 型N 沟道结型FET 说明书

河南新乡华丹电子有限责任公司 CSK596II型 N沟道结型FET说明书一、用途：主要应用于驻极体电容传声器。二、极限参数（25℃时）项目符号数值单位 V =-1V时的最高漏源电压 V 20 V GS DSX 源极开路时最高栅漏电压 V BR GDO -20 V （）最大正向栅极电流 IG 10 mA 最大漏极电流 ID 1 mA 最大耗散功率 Ptot 100 mW 最高有效结温 Tj 150 ℃ 环境温度 Tamb -55~150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~150 ℃ 三、电特性（25℃时）数值特性符号条件单位最小值最大值栅漏击穿电压 V I =-100μA |-20| V (BR)GDO G 正、反向二极管压降 I =-100μA 0.85 V G V =6V V=10mV DD i R =820Ω C =15PF 工作状态下的漏极电流 IDS D G 50 470 μA C =33μF f=40Hz D 栅源短路时正向跨导 gfs V =10V 1200 （典型值） μS DS V =6V~1.5V