第二章 04 存储器1223.ppt

* DRAM图片 小结 RAM有三组外部信号：地址线、数据线、控制线 存储容量=M×N(存储单元数×位数) 地址线的根数：K，M=2K 数据线的根数：N SRAM特点： (1)长期保存数据 (2)非破坏性读出 DRAM特点： (1)基于MOS管电容的电荷存储效应存储信息 ； (2)再生或刷新：由于漏电流的存在，电容上存储的信息不能长久保持，因而必须定期给电容补充电荷，以避免存储的信息丢失； (3)破坏性读出，需要在每次读“1”操作后进行重写。 小结 DRAM 和SRAM DRAM SRAM 存储原理 集成度 芯片引脚 功耗 价格 速度 刷新 电容 触发器 高 低 少 多 小 大 低 高 慢 快 有 无 主存 缓存 第四章 存储逻辑 特殊存储部件 随机读写存储器RAM 只读存储器ROM FLASH存储器 存储容量的扩充 只读存储器 ROM (Read Only Memory) 通常ROM是一种只能读，不能写入的存储器，最大优点是其存储的信息不易失性。 根据其编程方法不同，ROM可分为： 1. 掩模式只读存储器 2. 一次编程的只读存储器(PROM) 3. 多次编程的只读存储器(EPROM、E2PROM) 掩模式ROM 行选线与MOS管栅极连接，MOS管导通，列线上为高电平，存1。 行选线与MOS管栅极不连接，MOS管截止，存0。 掩模式ROM 6 7 ROM逻辑符号 EPROM—光擦除可编程ROM 浮栅雪崩注入型MOS管(FAMOS)； 两个栅极：G1栅浮栅(无引出线)，G2栅控制栅； EPROM 漏极D加上几十伏脉冲电压时，使沟道中电场增强，造成雪崩，产生很多高能电子。此时若在G2栅加正电压，可使沟道中的电子穿过氧化层注入到G1栅，使G1栅变负。由于G1栅被绝缘的氧化层包围，泄露电流很小，一旦电子注入到G1栅就能长期保存。 存储0：G1栅有电子积累(变负)时，MOS管开启电压很高，G2栅加高电平后MOS管仍截止，相当于存0。 存储1：G1栅无电子积累时，MOS管开启电压很低，G2栅加高电平后MOS管导通，相当于存1。 EPROM EPROM ◆小结 ??光擦除电写入(擦除器中全部擦除，编程器 中写入)； ??可重复写入上百次； ??程序存储器：执行的程序在器件中编程。 EEPROM(电擦除可编程ROM) E2PROM ???◆?存储元记忆原理 ????·浮栅隧道氧化层MOS管(FLOTOX)； ????·两个栅极：G1控制栅，是一个浮栅(无引出线)，G2是抹去栅，它有引出线 ； ????·G1栅和漏极D之间有一个小面积的氧化层(隧道区)，其厚度极薄，可产生隧道效应。 ◆小结 ?????电擦除电写入(擦除时按位或字擦除，写入时间较长：几个ms)； ???? 可重复写入10万次； ???? 数据存储器。 第四章 存储逻辑 特殊存储部件 随机读写存储器RAM 只读存储器ROM FLASH存储器 存储容量的扩充 施敏和FLASH 施敏，Bell Lab/Stanford，撰写的经典教材《半导体器件物理》，被论文引用的次数约15000次 (ISI统计)。 已被诺贝尔奖三次提名。 美国工程院、中国大陆工程院和中国台湾工程院三院院士。 曾获得IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖） 非挥发性半导体内存(Flash)发明者和手机发明人之一。 施敏院士 世界上引用率最高的教材 FLASH 闪速存储器是Intel公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器。 SRAM Cache DRAM 主存 ROM 固定程序，微程序 控制器 PROM 用户自编程序，工 控机 EPROM 用户编写并可修改 程序，产品试制阶 段试编程序 E2PROM IC卡上存储信息 FLASH 固态盘，IC卡 Flash存储原理 Flash的3种基本操作 编程操作(写操作)：只写0(控制栅上加正电压)，不写1。 读出操作：控制栅加上正电压 。 思考：编程操作和读出操作都是在控制栅上加正电压，二者的区别？ 擦除操作：源极S加上正电压，将浮空栅上的电荷全部释放出去。存储元全部为1状态。 编程操作（写操作） 只写0，不写1。给存储元的浮空栅补充电子。 读出操作 控制栅无法开 启MOS管，读0 控制栅开启 MOS管，读1 擦除操作 电擦除 源极S上加正电压 吸收浮空栅上的电子 存储元全部变成1 擦除与编程操作? 编程是给浮空栅补充电子，擦除是给浮空栅释放电子。 第四章 存储逻辑 特殊存储部件 随机读写存储器RAM 只读存储器ROM FLASH存储器 存储容量的扩充 字扩展： WE 2048×8 2048×8 A0-A10 A0-A10 CS R/W CS R/W A0-A10 D0- D7 D0- D7