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FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析.pdf
第39卷第2期 压电与声光 V01．39No．2
8LACOUST00PTICS
201 PIEZOELECTRICS
7年4月 Apr．2017
文章编号：1004—2474(2017)02一0202～04
FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析
赵坤丽1’4，高 杨2～，韩 超1
(1．西南科技大学信息工程学院，四川绵阳6210lo；2．中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621999；
3．重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室，重庆400044；
4．中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室，北京100049)
摘要：针对有效机电耦合系数(是：“)的两种影响因素一薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极／压电层厚度比与压
电层薄膜的c轴取向，分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐
振频率为2．185GHz的FBAR谐振器作为分析案例，通过仿真得出，设计得到的膜层厚度比为o，206时，虽然
FBAR的☆：ff略有下降，但此时Mo电极厚为o．247肛m，AlN压电层厚为1．1197弘m，使得FBAR电学性能较好，工
艺制备复杂度及时间降低。另外，c轴倾斜角度为3。时，会使FBAR的瑶r下降，同时FBAR阻抗特性曲线产生较强
的寄生谐振，这会引起FBAR横向能量泄露，恶化FBAR滤波器的带内插损。因此，在制备AlN薄膜时应该严格
把握各项工艺参数。此外，通过适当放宽FBAR谐振器谐振频率增量能使瑶r具有一定冗余量来弥补工艺制备引
起的^：rr下降。
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR)；有效机电耦合系数；厚度比；c轴取向；寄生谐振；横向能量泄漏
中图分类号：TN713；TN603文献标识码：A
of ofFBAR
AnalvsisInfluenceFactors Effective
Coefficient
Coupling
ZHAo Cha01
Kunlil一，GAoYan92～，HAN
(1．SchoolofInformation ofScienceand
Engineering，SouthwestUniversity Techn0109y，Mianyang621010，China；
2．InstituteofElectronic
Engineering，CAEP，P．0．Box919—512，Mjanyang621999，China；
3．NationalLab．ofFundamentalScienceofMicro／Nano—Deviceand 400044，China
Key SystemTechn0109y，ChongqingUniversity，Chongqing
4．State Lab．ofParticleDetectionandElectronics，Instituteof of
Key HighEnergyPhysics，ChinaAcademyScjence，Be
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