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中国光伏产业发展路线图2016年版(下).pdf
产 业 论 坛
中国光伏产业发展路线图2016 年版( 下)
■ 中国光伏行业协会 中国电子信息产业发展研究院
3.3.9 p 型硅电池发射极掺杂技术 流技术。随着涂源法硼掺杂和离子注入硼掺杂技
目前，掺磷的p 型硅电池发射极掺杂技术以 术成熟度及可靠性提高，未来会逐渐得到更多应
POCl3 气相扩散的均匀掺杂为主，2016 年其市场 用。图35 给出了2016 ～2025 年n 型硅电池发射
份额占比达到98.2%，未来10年仍将是技术主流。 极掺杂技术的变化趋势预测。
回刻蚀的选择性发射极技术和离子注入掺杂的均 100
匀发射极技术未来会占有小部分市场。激光掺杂 80
%
的选择性发射极技术在2020 年左右可能会出现 / 60
比
占
应用，随着激光掺杂技术逐渐成熟，该种技术将 场 40
市
是一种比较有潜力的技术。图34 给出了2016 ～ 20
2025 年掺磷的p 型电池发射极技术市场占比的 0
2016 年 2017 年 2018 年 2020 年 2022 年 2025 年
变化趋势预测。 BBr3 扩散掺杂 90.5% 90.0% 88.9% 86.7% 85.0% 81.0%
离子注入掺杂 7.0% 7.5% 8.0% 9.0% 9.5% 11.0%
100
涂源法掺杂 2.5% 2.5% 3.0% 4.0% 5.0% 7.0%
80
其他 0.0% 0.0% 0.1% 0.3% 0.5% 1.0%
%
/
比 60
占 图35 2016 ～2025 年n 型硅电池发射极掺杂
场 40
市 技术变化趋势预测
20
3.3.11 背钝化技术
0
201
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