体声波滤波器的设计与微加工方法.pdfVIP

第39卷第2期 压电与声光 V01．39No．2 201 7年4月 PIEZOELECTRICSACOUST00PTICS Apr．2017 文章编号：1004—2474(2017)02一0157一06 体声波滤波器的设计与微加工方法 高 杨1’4，蔡 洵2，贺学锋3 (1．中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳621999；2．西南科技大学信息工程学院，四川绵阳621010；3．重庆大学新型微纳 器件与系统技术国防重点学科实验室，重庆400044；4．核探测与核电子学国家重点实验室(中国科学院高能物理研究所)，北京100049) 摘 波器为例展示了该方法的应用流程。第一步，根据FBAR滤波器的中心频率和带宽指标，确定FBAR薄膜叠层中 各层薄膜的厚度。第二步，得到滤波器的电路结构。第三步，得到每个FBAR单元的谐振区面积；为此，将串联 FBAR单元的谐振区面积、并联FBAR单元与串联FBAR单元的谐振区面积比值作为两组优化参数；将给定滤波 器的插入损耗和带外抑制指标作为优化目标，利用ADs软件中的梯度优化算法，得到其优化值。第四步，旨在使 滤波器的带内纹波最小化。设计中采用一种新的FBAR电极厚度调整方法，故意使串联FBAR的串联谐振频率与 并联FBAR的并联谐振频率频率值不等，但相差很小，实现了该目标。由于案例设计结果中，SiO。支撑层的厚度仅 300 nm，需要在背面通孔刻蚀的微加工工艺中工序保留良好，因此，提出了一种基于绝缘衬底上的Si(SOI)圆片中 埋氧层(B0x)缓冲的两步通孔刻蚀工艺方案，该方法利用了BOX的刻蚀自停止特性。研究结果表明，Rx滤波器 dB。由此验证了该设计方法的可行性。 插入损耗为o．6dB，在Tx频段的带外抑制为40．4dB，带内纹波为o．4 关键词：微机电系统(MEMS)；滤波器；薄膜体声波谐振器(FBAR)；谐振区面积；优化参数；带内纹波 中图分类号：TN631．2文献标识码：A andMicrofabricationMethodofBAWFilter Design GAo xun2，HE Yan91一，cAI xuefen掌 ofElectronic 621999，C of (1．Institute Engineering，ChinaAcademy。fEnginee“ngPhysics，Mianyanghina；2．Sch001 Information ofScienceand Lab． University Technology，Mianyang621010，China；3．NationalKey Engineering，Southwest of and ofFundamentalScienceMicro／Nan。一Device University，Chongqing400044，China； SystemTechnology，Chongqing 4．State Lab．ofParticleDetectionandE1ectr。nics，Institute。fPhysics，CAS，Be巧ing100049，China) Key