1.常用半导体器件探究.ppt

PNP型 特点：发射区参杂浓度很大， 基区薄且浓度低， 集电结体积大。 VT 返回 二、晶体管的电流分配和放大原理 １．放大条件 （１）内部特点决定 发射区产生大量载流子; 基区传送载流子; 集电区收集载流子。 （２）外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 返回 IE IC IB RB RC EB EC N N P 发射区电子 发射结正偏 利于发射区发射电子 基区 集电结反偏利于集电区收集电子 集电区 2. 电流分配 返回 少子的移动 IB RB EB IC RC EC IE 基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。 直流放大系数 交流放大系数 返回 1. 输入特性曲线 三、晶体管特性曲线 IB＝f (UBE) ︳UCE =常数 IB/ μA UBE /V UCE=0 UCE≥1 发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。 集电结反偏，IB 减小 UCE 1 IB 变化很小，与 UCE = 1 曲线重合。 返回 O 2．输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 截止区 IB≈0 ，IC≈0 ，UBE≤0 发射结反偏，集电结反偏。 放大区 IC＝βIB 发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 UCE≤UBE ，发射结、集电结正偏。 IC/ mA UCE /V IB＝0 IB＝20μA IB＝40μA IB＝60μA IB＝80μA 返回 O 2．极间反向电流 ICBO：发射极开路，基极与集电极间的反向饱和电流，受温度影响大。 ICEO：基极开路，集电极与发射极间的穿透电流。 四、晶体管主要参数 1． 放大倍数 返回 集电极最大电流ICM IC ICM 集电极—发射极反向击穿电压UCEO 基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。 UCE UCEO 集电极最大允许功耗PCM ICUCE PCM 3．极限参数 返回 五、温度对晶体管的影响 温度对ICEO、ICBO的影响 ICEO、 ICBO 随温度上升急剧增加，温度每升高10℃， ICBO约增加一倍。 温度对锗管的影响比较大。 温度对 β 的影响 温度增加， β 随之增加 。 3. 温度对 UBE 的影响 温度增加， UBE 随之减少 。 返回 例1：由晶体管各管脚电位判定晶体管属性 （1）? A: 1V B：0. 3V C: 3V （2 ）A: －0. 2V B: 0V C: －3V 如何区分硅管和锗管 如何区分NPN、PNP管 如何区分三个极 A. ︱UBE ︳≈0. 2V(锗管） ︱UBE ︳≈0. 7V(硅管） B. 步骤：1. 区分硅管、锗管，并确定C极（以 相近两个电极的电压差为依据， UBE硅＝0.7V ／UBE锗＝0.2V～0.3 V） 2. 区分NPN、PNP管 （NPN：VC最高 ， PNP： VC最低 ） 3. 区分三极 （ NPN： VC VB VE PNP： VC UB VE） 解： （1） 硅管 、NPN管 A：基极 ；B: 发射极； C: 集电极 （2） 锗管 、 PNP管 A: 基极； B: 发射极 ； C: 集电极 返回 例2：有三只晶体管，分别为? 锗管β＝150，ICBO＝2μA；? 硅管β＝100，ICBO＝1μA； ?硅管β＝40，ICEO＝41μA；试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。 解： β 值大，但ICBO也大，温度稳定性较差； ? β 值较大，ICBO＝1μA，ICEO＝101 μA ； ? β 值较小，ICEO＝41μA， ICBO＝1μA。 ? 、? ICBO相等，但? 的β 较大，故? 较好。 返回 第五节 场效应晶体管 N沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管