Ni51Mn25．5Ga23．5单晶大的自发相变应变和磁感生应变.pdfVIP

2008年4月 重庆师范大学学报(自然科学版) Apr．2008 第25卷 第2期 Journal of Chongqing Normal University(Natural Science) Vo1．25 No．2 Ni51 Mn25 Ga23 单晶大的自发相变 ． 5 ． 5 应变和磁感生应变 游素琴，武 亮，孔春阳，马 勇，杨晓红，崔玉亭 (重庆师范大学物理与信息技术学院，重庆400047) 摘 要：通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量，研究了Ni Mn ． Ga2 单晶的马氏体相变和磁 感生应变特性。伴随马氏体相变，该单晶展现出一个应变量高达一1．62％的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷 却的方法，在材料的马氏体相获得了一个量值高达一1．5％且可逆的磁感生应变，该值近似为零场下冷却测量得到 的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性，对上述结果进行了讨