AO3407(MOS场效应管原厂推荐).pdfVIP

下载本文档

393
0
约3.3千字
约 2页
2017-07-24 发布于江苏
举报
版权申诉

AO3407(MOS场效应管原厂推荐).pdf

1、本文档共2页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

AO3407(MOS场效应管原厂推荐)

AO3407 SOT-23場效應晶體管(SOT-23FieldEffectTransistors) WWW.DCY-CHINA.NET P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs P沟道增强型MOS场效应管 ■MAXIMUMRATINGS最大額定值 Characteristic Symbol Max Unit 特性參數符號最大值單位 Drain-SourceVoltage BVDSS -30 V 漏極-源極電壓 Gate-SourceVoltage VGS +20 V 栅極-源極電壓 DrainCurrent(continuous) ID -4.1 A 漏極電流-連續 DrainCurrent(pulsed) IDM -16 A 漏極電流-脉冲 TotalDeviceDissipation 總耗散功率 PD 1400 mW T =25℃環境溫度爲25℃ A Junction TJ 150 ℃ 結溫 StorageTemperature Tstg -55to+150 ℃ 儲存溫度 AO3407 ■ELECTRICALCHARACTERISTICS電特性 (T =25℃ unlessotherwisenoted如無特殊說明，溫度爲25℃) A Characteristic Symbol Min Typ Max Unit 特性參數符號最小值典型值最大值單位 Drain-SourceBreakdownVoltage BVDSS -30 — — V 漏極-源極擊穿電壓(I =-250uA,V =0V) D GS GateThresholdVoltage VGS(th) -1 — -2.5 V 栅極開启電壓(I =-250uA,V =V ) D GS DS DiodeForwardVoltageDrop VSD — — -1 V 内附二極管正向壓降(I=-1A,V =0V) S GS ZeroGateVoltageDrainCurrent 零栅壓漏極電流(V =0V,V =-24V) I — — -1 uA GS DS DSS (V =0V,V =-24V,T 55℃)