22nm全耗尽绝缘体上硅技术.PDFVIP

22FDX® 22nm 全耗尽绝缘体上硅技术 亮点 正确的技术用于正确的应用™ • 22nm 全耗尽绝缘体上硅技术 格芯22FDX® 22nm FD-SOI （全耗尽绝缘体上硅）工艺技术平台可为连接应用 和低功耗嵌入式应用提供高成本效率的性能。 + 在德国德累斯顿最先进的晶圆厂制造 + 超低功耗扩展功能，可0.4V 运行 22nm 全耗尽绝缘体上硅晶体管技术能够以28nm 平面技术的成本，提供与 + 晶体管背栅极偏压，可实现性能和 FinFET 类似的性能和能效，并且相比28nm 可降低功耗最高达70% 。22FDX 同 功耗间的能效权衡 时兼具高频率、高自增益和高电流效率性能，可实现高效、超低功耗的射频/模拟 + 集成射频功能以降低系统成本，低射频 设计。 功耗的背栅极功能可降低射频功耗达 ~50% 全耗尽绝缘体上硅 + 世界级最大频率，自增益；极低的毫米 – 全耗尽绝缘体上硅 波噪声系数；FET 堆叠，用于单一芯片 – 平面工艺 集成高输出功率、高PAE PA 和交换器 类似于传统技术 全耗尽通道，以 • 低功耗嵌入式应用 实现低漏电 + 5G：6GHz 以及毫米波手机设备方 超薄埋氧层绝 案，回传，基站 缘体 + LEO 卫星通信 + 毫米波雷达 + 低带宽物联网，可穿戴设备 目标应用和平台解决方案 + 移动应用处理器 5G，LTE 和 中低端应用处 + 网络和WiFi 物联网/ 微控制单 802.11ac/ax/ad 理器 + 汽车（高级驾驶辅助系统、车载信息 元（MCU） 娱乐系统） 可实现新的射频架构，使裸晶 降低动态及泄露功耗（相比 • 全面的设计生态环境 面积缩小35-50% （相比 40nm ） 相比28nm，降低功 + 利用大量数字设计流程和现有的EDA 28nm ），可用于LTE、WiFi – 总功耗降低80% 耗70% 工具 和其他 – 1pA/单元待机 + 全面启用基础 IP 和针对特定应用的 高性能（射频）LDMOS 复合IP 通过SOI 堆叠，集成毫米波 用于集成功率放大器和开关 相比28nm ，射频Tx/Rx • 完善的服务和支持 功率放大器与高输出功率 （WiFi ，BLE45.0）以及电 降低功耗40-50% + 设计新手工具包、多项目晶圆 源管理 （MPW ）、原型设计 最高的ft/fmax ， 通往面向新一代设计的