超导物理基础2汇编.ppt

电子之间相互吸引的条件是 只有Fermi球面附近厚约为?? 的壳层内的电子之间才存在相互吸引。 考察Fermi球面附近两个电子， 以半径约pf画两个层壳。在发生跃 迁前后，两个电子的总动量守恒。 跃迁后，动量p1′和p2′应大约等于pf， 因为跃迁只能在Fermi球面附近发生， 因此，变化后的矢量p1′的终点和p2′的起点都必须位于两个球壳相交部分的园环中 （这是动量守恒和半径为pf的要求） 换句话说：一对电子的状态发生跃迁时通过与晶格相互作用 而产生吸引被限制在相交的园环带中。 如果p = 0，则两球壳重合，相交的园环变成整个球壳，这时，一对电子通过吸引力而发生跃迁的可能性比p ≠0任何情况都大得多 因此，在Fermi 面附近的动量相反 的一对电子的吸引力要比其它电子 之间的强得多。 所以在Fermi 面附近，自旋和动量都相反的电子之间存在最强的吸引力。 泡利原理禁止自旋相同的电子靠拢，有斥力， 也就是说在Fermi 面附近的能量为 动量和自旋相反的一对电子组成的束缚态为Cooper 对 wC 是声子德拜频率; N(0)代表Fermi能EF 处单位能量的态密度 六、超导能隙 1、 能隙表达式 2、超导转变温度的BCS关系式 考虑到T=TC时，?=0，有 若 有 超导转变温度的BCS公式 显然： 当N(0)1（弱耦合条件）时， 3、能隙与转变温度的关系式 4、电子比热 在T=TC处电子的比热跳跃为 对大多数元素，实验结果与实验符合，范围1.2~2.7 5、 临界磁场 T=0K时， 或 其中， 正常电子比热系数 ——对应规律 在BCS理论中，H0，TC，?中任意两个已知， 可用上式求出第三个量的值 T=0K时， 一、无阻载流特性与不可拟磁化曲线 1、无阻载流特性 在横场条件下,用四引线测量非理想第二类超导样品的I-V曲线 IC(H,T)——临界电流 固定T=4.2k，可得到IC—H曲线 a、非理想和理想第二类超导体的主要差异在混合态阶段（HC1HHC2） 理想第二类超导体的IC几乎是零，当HHC1几乎丧失了无阻载流能力 非理想第二类超导体则具有很高的IC，当HHC1仍有良好的无阻载流能力 只有当当HHC2时非理想第二类超导体才失去无阻载流能力 b、非理想和理想第二类超导体磁化曲线不同 理想第二类超导体的B-H、M-H曲线是可逆的 非理想第二类超导体的B-H、M-H曲线是不可逆的 c、非理想第二类超导体的IC随温度的升高而降低， 当TTC(H)时IC=0 2、非理想和理想第二类超导体的主要差异 二、磁通钉扎 1、晶体缺陷与磁通芯子及芯子之外区域的相互作用 a. 晶体缺陷与磁通芯子的相互作用 从迈斯纳态中出现一根磁通线，则体积为V的芯子由迈斯纳态转变为正常态所需要的能量为 如果在芯子位置存在一个小的半径为r(?)的正常态粒子（晶体缺陷），体积为 则需要提供的能量相对减少 ——磁通线芯子与正常相小粒子的相互作用能 则该正常相小粒子对磁通线芯子与的最大钉扎力fp为 如果正常态粒子很大r(?)，则单位长度磁通芯子与其相互作用能为 从而形成的最大钉扎力f”p为 将HCm表达式带入，有 2、G-L理论对磁通钉扎的讨论 用G-L理论可以得到，体积为v的晶体缺陷造成的能量变化（钉扎能） 对于磁通格子常数为a2的情况，最大钉扎力可表示为 对于三角格子，有 G-L理论给出的钉扎力与外磁场(b)有关，比伦敦磁通线模型更进了一步 三、混合态的临界状态 1、体感应电流密度 a. 对于理想第二类超导体 磁通格子分布均匀 体感应电流密度 为磁通线涡旋电流密度的迭加值 b. 对于非理想第二类超导体 磁通格子分布不均匀 体感应电流密度 2、驱动力的性质与表达式 单位长度磁通线所受到的驱动力为 设单位体积内有n根平行的磁通线，则单位体积内磁通格子所受的驱动力为 注意，驱动力为作用到磁通格子上的力，而洛伦次力为作用到电流上的力 一维情况下： 它表示在确定的外磁场下，沿x方向存在正的磁通密度梯度时，在-x 方向产生磁压力fD。 3、混合态的临界状态（毕恩-金模型） 讨论温度为0K时，非均匀磁通格子处于稳定的临界状态 显然： |fd|fp时，磁通格子运动 |fd|fp时，磁通格子稳定 因此，临界状态的最大无阻传输电流密度满足 即 JJC时，磁通格子运动 JJC时，磁通格子稳定 JC的值由钉扎力密度决定 J=JC时非均匀磁通格子 处于稳定的临界状态 a. 毕恩模型 设厚度为2d（x方向）的无限大平板样品，外磁场平行于样品的表面（z方向） 设 毕恩实际上假设钉扎力只是B的一次函数，JC与外磁场无关，是很粗略的 此时，B(x)可表示为： 样品表面电流产生的自场 外加电流增加，Hs增加，当HsHC1后，样品进入混合态 由于IIC