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牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究
物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 7 (2011) 078503
Ni GaN
牺牲 退火对硅衬底 基发光二极管
*
p 型接触影响的研究
王光绪1) 陶喜霞1) 熊传兵1)2 ) 刘军林1)2 ) 封飞飞1) 张 萌1)2 ) 江风益1)2 )
1) ( ， 330047 )
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 南昌
2 ) ( ( ) ， 330029 )
晶能光电 江西 有限公司 南昌
(20 10 9 2 1 ;20 10 11 10 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
(LED) p-GaN Ni ， N ∶ O = 4 ∶ 1
本文通过在硅衬底发光二极管 薄膜 表面蒸发不同厚度的 覆盖层 将其在 2 2 的气氛
、400 ℃ —750 ℃ ， Ni Pt / p-GaN ．
中 的温度范围内进行退火 在去掉薄膜表面 覆盖层之后制备 欧姆接触层 实验结果表
: Ni GaN LED p ，Ni p
明 退火温度和 覆盖层厚度均对硅衬底 基 薄膜 型欧姆接触有重要影响 覆盖退火能够显著降低
Mg ． Ni ，p ， Ni
型层中 受主的激活温度 经牺牲 退火后 型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律 随
; ， Ni 1. 5 nm ，
覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势 经过优化后 当 覆盖层厚度为 退火温度为
450 ℃ ，Pt 与p-GaN 比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6. 1 × 10 － 5 Ω ·cm2 ．
: ， ， Ni ，p
关键词 氮化镓 发光二极管 牺牲 退火 型接触
PACS :85 ． 60 ． Jb ，73 ． 40 ． Cg ，73 ． 6 1． Ey ，8 1． 40 ． Ef
Ni ;2 ) N 、200 ℃ —800 ℃
覆盖层
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