项目4-任务1-充电控制5.PPT

三极管的主要极限参数 （1）最大集电极允许电流ICM。ICM是指三极管的最大集电极电流。当电流超过ICM时，管子的性能显著下降，集电结温度上升，甚至烧坏。 （2）反向击穿电压UCEO。三极管基极开路时，允许加到C-E极间的最大电压也称为耐压。一般三极管为30伏，高反压的管子的反向击穿电压大到上千伏。 （3）集电极最大允许功耗PCM。三极管工作时，消耗的功率。PCM＝IC×UCE，三极管的功耗增加会使集电结的温度上升，过高的温度会损害三极管。因此，IC×UCE不能超过PCM。小功率的管子PCM为几十毫瓦，大功率的管子PCM可达几百瓦以上。 （4）特征频率fT。由于极间电容的影响，频率增加时管子的电流放大倍数下降，fT是三极管的β值下降到1时的频率。高频率三极管的特征频率可达1000MHz。 S8550 主要极限参数 最大集电极允许电流ICM：1.5A； 反向击穿电压UCEO：40V； 集电极最大允许功耗PCM：1W； 特征频率fT：100MHz。 充电控制电路 VT3工作于开关状态。当手机电池电压不足4.2V时，IC1的⑦脚输出0V，使VT3饱和导通，将变压器输出的电源正极从VT3发射极到集电极，对电池充电。 如果手机电池电压达到4.2V时，IC1的⑦脚输出电源电压，VT3截止，VT3发射极与集电极开路，停止对手机电池充电。 任务实施 任务实施 引脚整形 . 任务检查 任务