硅培训 检测概要1.ppt

总 结 氧 ----------------- 红外吸收光谱 SIMS 碳 ------------------ 红外吸收光谱 SIMS III、V族杂质 ---- 红外吸收光谱 光致荧光光谱 GDMS SIMS 硼：ICP-MS 金属杂质 ---------- ICP-MS GDMS SIMS 太阳能级多晶硅的检测 提 纲 1、太阳能级多晶硅国家标准 2、多晶硅中氧浓度测量 3、多晶硅中碳浓度测量 4、多晶硅中的Ⅲ-Ⅴ族杂质含量测量 5、多晶硅中金属杂质测量 太阳能级多晶硅国家标准（报批稿） 基于SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准，增加了基体金属杂质内容 项目（一） 太阳能级多晶硅等级指标（一） 1级品 2级品 3级品 N型电阻率，Ω·cm ≥100 ≥40 ≥20 P型电阻率，Ω·cm ≥500 ≥200 ≥100 少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥30 氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017 碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016 项目（二） 太阳能级多晶硅等级指标（二） 1级品 2级品 3级品 施主杂质浓度ppba ≤1.5 ≤3.76 ≤7.64 受主杂质浓度ppba ≤0.5 ≤1.3 ≤2.7 氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017 碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016 少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥30 基体金属杂质，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、 TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.01 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、 TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.1 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、 TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.2 太阳能级多晶硅国家标准（报批稿） 基于SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准，增加了基体金属杂质内容 注：1，基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。 2，基体金属杂质为参考项目，由供需双方协商解决。 3, 每个等级的产品应该同时满足本等级的要求，若某元素超出标准，则降为下一级。 多晶硅中氧浓度测量（GB/T1557-2006） 红外吸收谱原理 far-infrared: 10 - 400? cm-1 (1000–30?μm) mid-infrared: 400 - 4000?cm-1 (30–2.5?μm) near-infrared: 4000 - 14000?cm-1 (2.5–0.8?μm) : ??????????????????? ??????????????????? ????????????????? ???????????????? ??????????????? ?????????????????? Wagging Twisting Rocking Scissoring Antisymmetricalstretching Symmetricalstretching 多晶硅中氧浓度测量（GB/T1557-2006） 红外吸收谱原理 mA mB 利用同位素效应可以对键的类型进行确认 多晶硅中氧浓度测量（GB/T1557-2006） 红外吸收谱原理 A = ln(P0/P） T = P/P0 P = P0exp(-A) = P0exp(-?b) = P0exp(-?cb) c = ?/ ? = A/(?b) A为吸收率 absorbance T为透过率 ?为吸收系数(cm-1) absorption coefficent ?为吸收截面(cm2）absorption cross section c为杂质浓度(cm3) impurity concentration 多晶硅中氧浓度测量（GB/T1557-2006） 原理 间隙氧所在的Si-O-Si键的