立方氮化硼薄膜的掺杂和电学特性研究论文.pdfVIP

!!堂竺!皇塑垫些塑鎏矍塑丝墨塑皇堂堑堡婴塞 !!! 立方氮化硼薄膜的掺杂和电学特性研究+ 张岩1邓金祥1，周涛1，陈浩1，李志中2何斌2，陈光华2， 王丽香1，郝伟1，候碧辉1 (1北京丁业大学应用数理学院，北京100022；2北京工业大学材料学院，北京100022) 摘要：RF射频溅射法制备c．BN薄膜，使用离子注 火．真空度为2Pa，退火温度在400～800℃之间，退火 入法将Be注入c—BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前时间为60min。为了测量薄膜表面电阻率合薄膜异质结 后c—BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后c．BN薄膜 的I-v特性．用真空蒸镀法，在薄膜表面蒸镀上 激活能。c．BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成，离 2ram×5mm的锅电极，用台阶仪测量得到薄膜厚度， 子注入能量为190keV，注入荆量在101510mions／cm2 薄膜的表面电阻率和I．v特性用高阻仪进行测景。为了 之间，薄膜在离子注入后经400～800℃退火，并在薄膜 测量薄膜电导激活能。我们在290～490K的温度范围 表面蒸镀2ramX5ram的铝电极，以测量其电学特性。 内，利用高阻仪来测量微弱电流和电压，测量了样品的 实验结果表明：离子注入掺杂后的c．BN薄膜表面电阻 电导率随温度的变化关系。 率随着退火温度的升高和Be离子注八荆量的增大逐渐 降低，薄膜表面电阻率比掺杂前下降了3叫个数量级。 3实验结果与讨论 经计算得到掺杂后c．BN薄膜不同温度范围内激活能分 3．1 P型c．BN薄膜表面电阻率 别为0．54eV和0．32eV。 未注入杂质的c-BN薄膜表面电阻率为 关键词： c-BN；离子注入：表面电阻率：激活能 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 薄膜裘面电阻率有明显的变化，大部分样品表面电阻率 文章编号：100I．973l(2006)增刊．0279．02 降低了3+4个数量级。而且，c．BN薄膜表面电阻率随 l 引 言 着退火温度的升高和Be离子注入剂量的增大逐渐降 低。 立方氮化硼(c_BN)是IⅡ～V族化合物。它不仅具有 表1给出了400℃退火后c．BN薄膜表面电阻及电 很高的硬度，足加工铁族及其合金的最有效的工具材 阻率随注入剂量的变化。 料，而且具有很宽的能隙，特别适合作高温半导体器件 和短波长固体器件。1961年Wentorf在合成体系中加入 在400℃退火后表面电阻率比没有注入杂质的c．BN薄 重量为0．01％～1％的Be(以金属或盐类形式)，在高压下 膜表面电阻率下降了3~4个数量级。 台成山P型材料，室温下晶体的电阻率为100·cm， 表1 400℃退火后p／c．BN薄膜表面电阻率随Be注入 估算出其馓活能为019～O．23eVllj。 剂量的变化 掺杂和电学性质的研究是实现立方氮化硼电子学