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三相旋流抛光磨粒运动的测量与微气泡补偿资料.pdf
第 卷 第 期 光学 精密工程
25 4
Vol.25 No.4
O ticsandPrecisionEnineerin
年 月 p g g
2017 4 A r.2017
p
文章编号 ( )
1004-924X201704-0943-11
三相旋流抛光磨粒运动的测量与微气泡补偿
∗
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计时鸣 余昌利 赵 军
( , )
浙江工业大学 特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室 浙江 杭州 310014
: 。 ,
摘要 研究了气液固三相旋流流场抛光机理和规律 设计了三入口的抛光加工流道 对气液固三相旋流抛光流场进行了
。 , ( )
数值模拟 基于模拟结果设计了气液固三相磨粒流旋流流场测量平台 并通过粒子图像测速法 PIV 测量了微气泡补
, 、 。
偿条件下气液固三相旋流抛光的流场参数 获得了微气泡补偿区域流场的运动图像 速度矢量图和涡量图 PIV测量试
: , / /, ,
验数据显示 在微气泡补偿区域 磨粒速度主要集中在 到 同一测量点高速磨粒出现频率明显增加 少数
30m s 80m s
/ ; / /,
磨粒速度达到 以上 磨粒平均速度从 增大到 经 抛光后硅片表面最大粗糙度从
100m s 33.8m s 44.2m s 4h 10.4 m
μ
。 , ,
下降到 1.3 m 理论和试验研究表明 气液固三相旋流抛光流场中微气泡溃灭引发的空化冲击效应可增大磨粒动能
μ
, 。
提高抛光效率 实现 区域的均匀化抛光
B
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关 键 词 三相旋流抛光 空化冲击 微气泡补偿 磨粒运动 粒子成像测速法
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