高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究.pdfVIP

第 37 卷，增刊 红外与激光工程 2008 年 6 月 Vol .37 Supplement Infrared and Laser Engineering Jun. 2008 高温激活的变掺杂 GaAs 光 电阴极研究 陈怀林，常本康，张俊举 ，杜晓晴 （南京理工大学 电子工程与光 电技术学院，江苏 南京 21009 ） 摘要 ：为 了获得高量子效率 的 GaAs 光 电阴极，要求 GaAs 材料 的电子扩散长度足够长 ，且 电子 表面逸出几率大，而这两个参数都要受到 P 型掺杂浓度的限制。经过对由体 内到表面掺杂浓度 由高 到低 的变掺杂 GaAs 光 电阴极进行比较深入的激活实验和光谱响应理论研究，实验结果显示，适当 的表面掺杂浓度 GaAs 光 电阴极材料，在高温激活结束后获得了较高的灵敏度和较好 的稳定性 。根 据实验结果和反射式变掺杂 GaAs 光 电阴极量子效率理论预测曲线，对变掺杂 GaAs 光 电阴极材料掺 杂结构提 出了进一步优化的思路 。研究表明，变掺杂 GaAs 光 电阴极将成为发展我 国高性能 GaAs 光 电阴极的一项重要途径。 关键词 ：GaAs； 光电阴极 ； 光谱响应 ； 性能评估； 在线测量 中图分类号：TN2 15 文献标识码：A 文章编号：1007-22 76(200 8)增( 红外) -0756-06 Var yin g dop ing GaAs ph otocath ode by high temp er atur e activa tion CHEN Huai-lin, CHANG Ben-kang , ZHANG Jun-ju, DU Xiao-qing (Nanj ing Univer sit y of Sci ence and Technology, Nanj ing 2 1009 , China) Ab st r act : High quantum efficien cy GaAs phot ocathode has been obtained which has en ough lon g diffusing len gth and bi g probability of surface emitting. The two parameter s are limited by impure density of p type. An activation experiment of varying doping GaAs photocathode form inner to surface and from low to high has b een carried out and the correspon ding spectral response has been studied, and results shows that appropriate impure density may obtain GaAs ph otoelectronic material of high responsiv ely an d stability. According to experiment results and predicted quantum efficiency curv es of GaAs photocathode, an approach how to design varying doping GaAs photocathode has been improved, which is also an important route to develop high performance photoe