F R - 湖南大学.PPT

电子器件基础;电子器件基础;电子器件基础;晶体管的放大作用;晶体管的放大作用; 晶体管的放大作用;第1节 晶体管频率特性理论分析;共基极截止频率 fα; α.β(dB);晶体管的高频效应;2、共基极电流放大系数与截止频率;? (?) 和发射极延迟时间 ?e;? *(?) 和基区渡越时间 ?b;直流分量;边界条件;交流;2 基区渡越时间 ?b;集电结势垒区输运系数 ?d (?) 和集电结渡越时间 ?d;对势垒区积分;2 ?d; 集电极衰减因子 ?c 和集电极延迟时间 ?c;放大系数的频率特性;? (dB) ? 20 log ?;放大系数的频率特性;CTe CTc;同样;当 f? f f? 时;(3) fT 与工作点的关系;交流不能直接利用 得到β，式中α是共基输出(CB)短路的值，而共射输出短路是CE间短路。 ;将γ、β*、βd 代入略去二次幂以上各项，实际 ie方向与规定方向相反，可得到：;共射截止频率：;特征频率 fT; β(dB);提高特征频率的主要途径： 降低τb：减小基区宽度Wb，增加缓变基区电场因子η； 降低τe：Ie 增加使 re 下降，缩小结面积使CTe、CTc下降； 降低τd：增加 NC 减小 xm，但使BVCBO下降； 降低τc：增加 NC 减小Wc 以降低rcs，缩小面积降低CTc。 高频管的特征频率 fT 与工作条件（Ic、Vce）有关。;1 Ebers-Moll 方程（本征晶体管）;1 Ebers-Moll 方程（本征晶体管）;?F = 100; 2.实际晶体管模型; 低频交流小信号等效电路; 低频交流小信号等效电路;低频交流小信号等效电路;低频交流小信号等效电路; 低频交流小信号等效电路;低频交流小信号等效电路; 低频交流小信号等效电路;低频交流小信号等效电路; 低频交流小信号等效电路; 高频等效电路;高频等效电路; 高频等效电路;高频等效电路;高频等效电路;当输出阻抗最佳匹配（共轭复量）时，可得到最大功率增益 Gpmax; 高频等效电路; 高频等效电路; 高频等效电路;第3节 晶体管的开关过程;IC增加到;tr;晶体管的开关参数： ;开关晶体管要求：;第4节 Ebers-Moll模型和电荷控制方程;IC;由IC-αF IE 得：;;T 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏; 将晶体管看作“电荷控制”器件，电流、电压的变化是由于电荷的变化所引起，物理意义清楚，数学处理简单，是解决大信号问题的有效方法。 ;在整个基区进行体积分： ;稳态时： ，基极电流不变 ;均匀基区晶体管放大工作，基区少子线性分布近似，有：;包含耗尽层电容的电荷控制方程 ;包含耗尽层电容的电荷控制方程：;第5节 晶体管开关时间;采用耗近层近似： ;上升时间（晶体管开始导通到进入临界饱和）;CTe随VBE变化，用平均值代替，且： ;由 ic(tr)=ICS 得：;存贮时间（超量存贮电荷消失）;IC;初始条件: ;;反向管：;过饱和时间常数：;下降时间（晶体管退出饱和到截止）;利用初始条件t=0时ic=ICS，解微分方程得：;晶体管的开关时间 ;电子器件基础;电子器件基础;电子器件基础