功率MOSFET 串联驱动电路设计Design of driver circuit for series.PDF

功率MOSFET 串联驱动电路设计 李海涛 臧振刚 刘平 （郑州大学信息工程学院 河南郑州 450001 ） 摘 要：本文分析了功率 MOSFET 对驱动电路的要求，对电路中的正弦波发生电路，信号 放大电路和两路隔离输出变压器进行了设计。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行 性。 关键词： MOSFET ；串联；驱动电路；正弦波 Design of driver circuit for series connection power MOSFETs Li Haitao; Zang Zhengang; Liu Ping (School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou, Henan Province, 450001) Abstract: This paper analyzes the requirements of driver circuit for power MOSFET, and designs the sine wave generating circuit ，signal amplification circuit and the transformer with two isolated outputs. Simulation and experimental results show the feasibility of the driver circuit. Keywords: MOSFET; series connection; driver circuit; sine wave 中图分类号: TN702 文献标识码: B 1 引言 随着电力电子技术的迅速发展，功率 MOSFET[1]高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小、 驱动电路简单等优点在功率射频和电源领域得到了广泛的应用。由于单只 MOSFET 的有限 容量，面临着多只 MOSFET 的串联或者并联的扩容问题。因此，对于多只功率MOSFET 串 联来说多路输出的驱动电路设计就显得很有必要，然而功率 MOSFET 的直流伏安特性、极 间电容、温度特性等对驱动信号的影响却非常重大。为此，本文提出了两个功率 MOSFET 串联工作在C 类状态 1MHz 频率下的驱动电路设计方案。 2 MOSFET 的输入阻抗和栅极电流[2] MOSFET 的直流输入阻抗特别高。当栅源极电压为 （ 为栅极静态工作电压）时， E E g g 栅极只流过纳安数量级的电流，一旦栅极电压建立起来，栅极的驱动电流可以忽略不计。 然而在栅源极和栅漏极之间均有一个不能忽视的电容。图 1 是 MOSFET 的内部电容，在 其内部各极间的极间电容分别为 Ciss ，Crss ，Coss 。 图1 MOSFET的内部电容 若栅极的交流输入电压为v ，由于漏极的输出电压为−v gA （A 为交流放大倍数）， i i v v 所以 C 两端的电压为 v (1+A )[ v =−(−v gA )] 。因此，流过C 的电流是只加v 时的 rss i v i i v rss i 1+A 倍。 v 因此，如果从栅极端看C ，看到的是具有1+A 倍电容量的电容。那么，源极接地放