变频电路的仿真与实现.PDF

变频电路的仿真与实现 第23组 小组成员：赵彭真 摘要 • 主要方向：变频器工作状态选择 • 仿真电路：晶体三极管混频电路 • 为了获得低噪声及高的变频增益需要对变频器的 工作状态进行选择。由于对变频器进行严格的分 析计算比较困难，因此，通常都是通过实验的方 法来选择工作状态。 • 本次仿真思路主要来源于教材第七章图7-5：变频 器功率增益 、噪声系数与工作状态关系。 基本原理框图： 基本原理图 原理图分析 • 其中，晶体管起信号的混频作用，两个输入信号分别为 vin1和vin2 ；电容Cin1 、Cin2 、Cout为信号输入和输出的耦合 电容，起到隔直流的作用，使前后级的直流电位不相互影 响，保证各级工作的稳定性；电容C 对高频交流信号相当 e 于短路，消除偏置电阻R 对高频信号的负反馈作用，提高 e 高频信号的增益；电阻元件R 、R 、R 决定晶体管的工 b1 b2 e 作点；电路中的电感L和电容C组成的谐振电路起选频作 用，在产生的组合频率中选择所需要的中频输出信号。 仿真实际电路 仿真电路分析 • 电容C3是隔直电容，滑动变阻器R2和电阻R3,R4是晶体 管基极的直流偏置电阻，用来决定晶体管基极的直流电压， 电阻R5是射极直流负反馈电阻，决定了晶体管射极的直 流电流Ie。晶体管需要设置一个合适的直流工作点，才能 保证混频器电路正常工作，有一定的电压增益。通常，适 当的增加晶体管射极的直流电流Ie可以提高晶体管的交流 放大倍数 ，增大混频器电路的变频增益。但Ie过大，混频 电路的噪声系数会急剧增加。对于混频器电路，一般控制 Ie在0.2-1mA之间。电容C1，C5，C6是混频器直流电源 的去耦电容 • 我们不妨取L=10uH，C=12nF,即选出频率是455kHz 的中 频信号，取本振信号为10.7MHz，于是输入信号的频率就 应为10.7MHz-455kHz=10.245MHz 仿真观察输出信号的频率 • 输出频率 • 直流电流Ie 观察射极电流Ie对变频增益的影响 • 保持输入信号幅度100mV，本振信号的幅度 500mV不变，改变射极电流Ie的值，观察混频器 变频增益的变化 一系列电流值 射极电流（mA）0.587 0.636 0.691 0.756 0.831 0.920 1.027 变频增益（倍） 12.74 16.65 17.21 17.75 18.42 19.19 19.68 25 20 益 15 增 频 变 10 变频增益 5 0 0 0.5 1 1.5 Ie/mA 本振信号幅度对变频增益的影响 • 在仿真过程中增加本振信号的幅度，保持输入信 号幅度100mV,射极电流Ie的值不变,观察混频器变 频增益的变化 本振信号幅度 50 100 200 400 500 700 800 （mV） 变频增益(倍) 8．18 12.60 15．20 16．80 17．21 17．51 17