四元系A lGa In P 为发射极异质结双极晶体管研究3.PDF

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 四元系A lGa InP 为发射极 异质结双极晶体管研究 程知群　孙晓玮　束伟民　张兴宏　顾伟东　夏冠群 ( 中国科学院上海冶金研究所一室　上海　200050) 摘要　 本文对 异质结双极晶体管( ) 进行了研究. 设计并制备了 A lGa InP GaA s HBT A lGa InP 为发射极的叉指结构 器件. 研究结果表明, 具有较高的电流增益和 HBT A lGa InP GaA s HBT 较好的温度特性. 同时, 由于对A lGa InP 和 GaA s 腐蚀选择性大, 因而工艺简单、重复性好. : 2520 , 2560 EEACC D J 1　引言 异质结双极晶体管(HBT ) 以其优越的高频高速性能在空间技术、精密制导、智能武器 及雷达、通讯等军事技术领域有着广泛的应用前景. 成为微波单片集成电路( ) HBT MM IC 及各种先进微波应用系统的关键器件. 目前, 实验上已制备了截止频率( ) 和最大振荡频率 f t ( ) 超过 150 的 ; 理论上已发展了多种用于分析和设计的器件模型; 的材 f m ax GH z HBT HBT 料生长技术和工艺制备技术较为成熟. 因此, 探索新型的HBT 材料来提高器件的性能成为 研究者非常感兴趣的问题. 具有极好的器件性能已广泛应用于高速电 A lGaA s GaA s HBT 路和微波模拟电路中. 但这种材料有其不足之处. 主要是在导带多子带隙不连续, 降低了发 射效率. 虽然在发射极外延一缓变层可以降低这种不连续, 但这又增加了 结的电荷复 E B [ 1 ] 合 . 为了克服 的上述缺点, 本文对四元系 为发射极的异质 A lGaA s GaA s HBT A lGa InP 结双极晶体管进行了研究, 结果表明 较