得分：学年度第学期第次段考命题教师：范围：年班号姓名一、单选.DOC

得分： 學年度第 學期第 次段考 命題教師： 範圍： 年 班 號 姓名 一、單選題: (　) 1.下列有關BJT共射極(CE)、共集極(CC)和共基極(CB)基本組態放大電路特性之比較，何者正確？(A)輸入阻抗：CB CE CC　(B)輸出阻抗：CE CC CB　(C)電壓增益：CB CE CC　(D)輸出與輸入信號之相位關係：CC和CB為反相，CE為同相。【103四技統測】(　) 2.某一電晶體由其規格表中得知其α值為0.96，則共集極組態之直流電流增益為何？(A)24　(B)25　(C)28　(D)31。【103四技統測】(　) 3.(　) 4.BJT接腳，若①號接腳分別對②號與③號接腳測試時皆呈現導通狀態，則①號接腳為下列何者？　(A)基極　(B)　(C)　(D)。【10四技統測】(　) 5.(　) 6.(　) 7.(A)共集極放大器電壓增益略小於1　(B)　(C)　(D)(　) 8.(　) 9.(　) 10.PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為?–3V，請問電晶體操作在哪個區域？(A)截止區　(B)(C)飽和區　(D)。【100(　) 11.(　) 12.　(B)　(C)　(D)。【4-4】 　 解答 　B (　) 13.(　) 14.雙極性接面電晶體(BJT)的符號中，有箭頭的那一端代表哪個接腳？(A)基極　(B)射極　(C)集極　(D)接地端。【103四技統測】(　) 15.(A)B E C　(B)　(C)　(D)。(　) 16.，，則此電晶體的α參數值為多少？(A)0.01　(B)0.99　(C)9.9　(D)100。【4-2】 　 解答 　B (　) 17.在電晶體之編號規則中，下列敘述何項不正確？(A)2SC1384為高頻用NPN型電晶體　(B)2C848為矽(Si)半導體製造材料　(C)2SA684為低頻用PNP型電晶體　(D)2N3055為美規電晶體編號。【10(　) 18.(　) 19.μA741　(B)1N4001　(C)2N2222　(D)NE555。【4-1】 　 解答 　C (　) 20.(A)共射極放大器　(B)共集極放大器　(C)共基極放大器　(D)共源極放大器。【102四技統測】【4-3】 　 解答 　B (　) 21.，，，矽質電晶體，求？(A)715mA　(B)71.5mA　(C)7.15mA　(D)0.715mA。【4-5】 　 解答 　C 　 解析 　(1)(2)(3)判別式(4)在工作區內(5) (　) 22.　(B)對PNP BJT而言，　(C)β為共射極放大器的電流增益　(D)α為共集極放大器的電流增益。【4-2】 　 解答 　D (　) 23.(BJT)共基極放大電路，下列敘述何者正確？　(A)輸出電流為射極電流　(B)　(C)　(D)。【10四技統測】(　) 24.(A)電晶體放大電路可以提供電壓、電流或功率的放大　(B)　(C)　(D)。【100(　) 25.VBE = 0.7V，飽和時VCE = 0.2V，欲使電晶體工作於飽和區，則RL最小值約為何？(A)8.27kΩ　(B)6.34kΩ　(C)4.82kΩ　(D)1.05kΩ。(2)(3) (　) 26.(　) 27.(　) 28.為輸入信號，為負載，下列何者為此放大器電路組態？(A)共基極放大器　(B)共射極放大器　(C)共集極放大器　(D)射極隨耦器。【4-3】 　 解答 　A (　) 29.(A)共射極放大器　(B)　(C)　(D)(　) 30.(　) 31.時，電晶體工作區域及集極對射極電壓為何？(A)截止區，0V　(B)飽和區，0V　(C)截止區，10V　(D)飽和區，10V。【4-5】 　 解答 　C 　 解析 　(1)Vi = 0.7V，正只夠障壁電壓，但沒有再產生IB之能量，所以BJT進入截止區。(2)VCE = VCC = 10V。 (　) 32.NPN型電晶體位於順向主動區(工作區)時，下列敘述何者錯誤？(A)基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓(B)射極電壓小於基極電壓(C)集極電壓小於基極電壓(D)對於射極電壓、基極電壓和集極電壓，射極電壓最小。【10(　) 33.關於雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor，BJT)的特性，下列敘述何者錯誤？(A)NPN型電晶體與PNP型電晶體流入基極的電流方向相反　(B)NPN電晶體工作在飽和區(Saturation Region)時，基射極間的電壓()為順向偏壓，且基集極間的電壓()為順向偏壓　(C)若用此電晶體來設計共基極放大器時，其輸入端是