激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展-电工技术学报.PDF

20 11 年 12 月 电 工 技 术 学 报 Vol.26 No. 12 第 26 卷第 12 期 TRAN SACTION S OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Dec. 20 11 激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展 李涛 周春兰 赵雷 李海玲 刁宏伟 刘振刚 王文静 （中国科学院电工研究所太阳能热利用及 伏系统重点实验室 北京 100 190） 摘要 激 掺杂具有可控性强，工艺简单，对材料造成的激 诱导损伤小等优点，是制备 高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激 掺杂的研究工作，介绍了掺杂制 备晶体硅太阳电池主要激 技术，分析了激 能量密度、激 脉冲个数、激 波长，和材料表 面织构与否对激 掺杂效果的影响，以及激 掺杂制备的晶体硅太阳电池的优 特点。 关键词：激 掺杂 激 诱导损伤 掺杂浓度 掺杂深度 晶体硅太阳电池 中图分类号：TN2 Research Progress of Laser Doping in Preparation of Crystalline Silicon Solar Cells L i Tao Zhou Chunlan Zhao L ei L i Hailing D iao H ongwei L iu Zhengang Wang Wenj ing （Institute of Electrical Engineering Chinese Academy of Sciences Beij ing 100 190 China ） Abstract Laser doping is an ideal technology option in preparation of highly efficient crystalline solar cells for its advantages, such as strong controllable, simple process, and little laser- induced damage to materials. This paper summarizes the research of laser-doping at home and abroad, introduces the main laser technology in doping preparation of crystalline silicon solar cells, and analyzes the influence of laser density of energy, laser pulse number, laser wavelength and surface textured or not to laser doping effects, as well as the advantages and characteristics of crystalline silicon solar cells fabricated by laser-doping. Keywords ：Laser doping, laser-induced damage, dopant concentration, doping depth, crystalline silicon solar cells 高太阳电池效率的潜力。为了进一步 地节省硅材料， 1 引言 需要用更薄的硅片制造高效太阳电池，这就更加需 要整体热效应小、高精确的激光工艺的辅助，使得 激光加工太阳电池工艺已经有 20 多年的历史。 激光工艺在现今和未来的太阳电池发展中起到举足