而场发射显示器.PDF

種平面顯示器技術在畫質 、 的延伸來發展 ，意圖以CRT 的優點 因此發展起來仍遭遇許多瓶頸 。不 各成本等皆以取代CRT 為發展 來搶佔此一市場 ，雖然在概念上雖 過在使用奈米碳管技術應用在場發 的目標 ，而場發射顯示器( F i e l有與d CRT 類似之處 ，但由於在結 射顯示技術上逐漸有較大的突破與 emission display, FED)則以CRT 技術 構 、材料上與CRT 技術完全不同 ， 發展 ，再加上Canon與Toshiba利用表 36 面傳導發射電子的理論發展的SED 次在電壓部分 ，C R T 大約需要 富士寫真 、Canon、松下 、Toshiba、 技術 ，於2004年10月合資成立新公 15～30KV 左右的工作電壓 ，而FED Nikon與NEC 等廠商也以提出與奈米 司從事SED 面板的開發 、製造與銷 的陰極電壓約小於1KV 。 技術相關的專利申請 ，其中又以奈 售 ，預計於2005年8月開始量產 ，讓 雖然FED 被視為可以取代CRT 米碳管為主要的研發項目 。 人期待FED 技術的新轉機 。 的技術 ，不過在發展初期卻無法與 在大尺寸場發射顯示面板則首 CRT 的成本相比 ，主要原因是場發 推日本伊勢電子 ，該公司曾使用化 FED 技術原理與發展 學氣相沈積法成功製作出14.5吋的 射元件的問題 。最早被提出的Spindt 場發射電極理論最早是在1928 形式微尺寸陣列雖然是首度實現場 彩色奈米碳管場發射顯示器 ，其亮 2 年由R.H.Eowler與L.W.Nordheim共 發射顯示的技術 ，但它的陣列特性 度達 10,000 cd/m。另外 ，韓國 2 同提出 ，不過真正以半導體製程技 卻限制顯示的尺寸 ，主要原因是它 Samsung也發表單色 、600 cd/m的15 術研發出場發射電極元件 ，開啟運 的結構是在每一個陣列單元上包含 吋奈米碳管場發射顯示器 ，並計畫 用場發射電子做為顯示器技術 ，則 一個圓孔 ，圓孔內含一個金屬錐 ， 發展使用在電視機的32吋奈米碳管 是在1968年由C.A.Spindt提出 ，隨後 在製作過程中微影與蒸鍍技術均會 場發射顯示器 。而NEC 也試製出30 吸引後續的研究者投入研發 。 限制尺寸的大小 。 ×30畫素的奈米碳管場發射顯示 不過 ，場發射電極的應用是到 解決之道是採用取代Spindt場 器 ，成功實現100伏特以下的低電壓 1991年法國LETI CENG 公司在第四 發射元件的技術 。1991年NEC 發表 驅動結果 。 屆國際真空微電子會議上展出一款 一篇有關奈米碳管的文章後 ，研究 1.Canon與Toshiba開發SED 電視 運用場發射電極技術製成的顯示器 人員發現以奈米結構合成的石墨 ， 在 場 發 射 顯 示 器 技 術 上 ， 成品之後 ，場發射電極技術才真正 或是奈米碳管作為場發射元件能夠 Canon與Toshiba則是開發表面傳導電 得到更好的場發射效率 ，因此奈米 子發射顯示器 （ 被注意 ，並吸引C a n d e s c、e n t Pixtech、Micron、Ricoh、Moto