集电结反偏 电子与信息工程学院电子与信息工程学院i B =f(v BE ).PPT

1.BJT的构造核心 2、外部条件 电子与信息工程学院 电子与信息工程学院 （2）恒压降模型 （3）折线模型 （4）小信号模型 （1）理想模型 （1）整流电路 （2）限幅电路 （3）开关电路 ? I （4）低电压稳压电路 齐纳二极管(稳压二极管) 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路* 4.7 放大电路的频率响应* 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 常见晶体三极管外形及引脚排列 (a) 小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管 三极管 档位 判断类型和各个引脚，如果插入正确，显示β值，否则无显示值。 一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下: e:发射极 b:基极 c:集电极 发射结 发射结 集电结 集电结 发射区 发射区 基区 基区 集电区 集电区 　 c b e PNP 　 e b c PNP 　 　 c b e PNP e c b NPN 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在1～2微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 ++ 外加电压，载流子流动 IE=IB+ IC 发射结正