脉冲激光沉积法ZnO薄膜N2中的制备和退火特性研究论文.pdfVIP

脉冲激光沉积法ZnO 薄膜N2 中的制备和退火特性研究† 魏显起 满宝元† （山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014 ） 摘 要：通过脉冲激光沉积方法在1.3 Pa 氮气氛围，100-500℃ 衬底温度，Si （111）衬底上制备了ZnO 薄膜。 在 300℃温度下生长的薄膜在400-800℃温度，氧气中进行了退火处理。用X 射线衍射（XRD ）谱，原子力显微镜（AFM ）， 光致发光谱(PL)表征了薄膜的结构和光学特性。 XRD 谱显示在生长温度300℃时获得了最好的复晶薄膜，在退火温 度700℃ 时获得六方结构的单晶薄膜。 AFM 显示在此退火条件下薄膜表面平整，晶粒均匀。 PL 谱结果显示在700℃ 退火时有最好的光学特性。 关键词：PLD ；ZnO 薄膜；晶体结构；表面形貌；光学特性 中图分类号：O 469 文献标识码：A 1 引 言 近年来，作为光电器件基础的 ZnO 薄膜的制备和特性的研究引起了很大的兴趣。 ZnO 是一种 重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，在许多短波光电子器件中有广泛的应用。 ZnO 是一个宽的和直接带隙 的材料，它的室温下禁带宽度是3.37eV，激子结合能60 meV。 这些优异的性质，使其具有了广泛 的用途。特别在短波长光电器件如发光材料，传感器，声表面波装置，薄膜气体传感器，紫外激光， 变阻器和太阳能电池等方面有广阔的应用。 近年来，许多方法被用来制备ZnO 薄膜，包括激光分子束外延（LMBE ），热解，反应热蒸发， 溅射和脉冲激光沉积 (PLD) [1-3] 。 在这些沉积方法中，PLD 技术常用于沉积透明导电氧化物薄膜。 主要原因是在较低的衬底温度甚至室温下能制备出高品质的薄膜，且膜靶的化学成分相近。近年来， 许多报告显示了通过PLD 方法在 Si，GaAs ，Al O ，玻璃和石英衬底上，制备了高品质薄膜。 然 2 3 而，ZnO 和衬底之间存在大的晶格和热失配，因而高温生长易形成高的缺陷密度，进而破坏薄膜的 光电特性 [4-5] 。 退火处理是改善薄膜品质及光学特性的一个有效方法。影响薄膜品质的因素很多， 例如：生长温度，生长压力，衬底种类等。 这些因素中，衬底温度的影响是最敏感的。 在以前的 工作中，大部分ZnO 薄膜生长在氧气氛围下，然而在真空中和在其他气体氛围中也能制备出具有鲜 明特征的薄膜。 这篇论文报告了用Nd ：YAG （1064 nm）激光器，在不同的衬底温度下，在氮气氛围中，在Si （111）衬底上制备了ZnO 薄膜。 然后对薄膜在氧气氛围中进行了退火。 对薄膜的结构和光学特性 进行了调查。 † 基金项目： 国家自然科学基金资助项目； 山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)； † 作者简介： 魏显起（1964- ），男，山东郓城人，副教授，在读博士研究生，研究方向：凝聚态物理。 满宝元（1962- ），男，山东平度人，教授，研究方向：激光与物质相互作用。 108 2 试 验 通过PLD 方法在衬底温度 100-500℃，Si （111）衬底上制备了ZnO 薄膜。 薄膜沉积在不锈钢真 -5 空室中进行，通过分子泵抽至本底真空5×10 Pa 。 一脉冲 Nd ：YAG 激光（波长 1064 nm ，重复 频率 10 Hz ，脉宽 10 ns ）通过一透镜以45o 角聚焦在靶上。 ZnO 靶用99.999 ％的纯ZnO 粉末用传 统的方法在 100 MPa 压力下压制而成，后在氧气中 1200℃温度下烧制而成。 沉积过程中激光能量 维持在200 mJ/pulse，靶基距为4 厘米。 ZnO 靶和衬底同时以每秒7 转反向旋转。 薄膜沉积在氮气 氛围中进行，通过调整氮气流量，薄膜沉积气压被设定在 1.3 Pa。 沉积时间为30 分钟。 通过称重 的方法得出薄膜厚度约为400 nm 。在300℃温度下生长的薄膜，在退火炉中进行了退火处理（型