高频教材第3章.ppt

　　4． 高频功放的调谐特性 　　在前面所说的高频功放的各种特性时，都认为其负载回路处于谐振状态，因而呈现为一电阻RL，但在实际使用时需要进行调谐，这是通过改变回路元件(一般是回路电容)来实现的。功放的外部电流Ic0、Ic1和电压Uc等随回路电容C的变化特性称为调谐特性，利用这种特性可以指示放大器是否调谐。 　　当回路失谐时，不论是容性失谐还是感性失谐，阻抗ZL的模值要减小，而且会出现一幅角　，工作状态将发生变化。设谐振时功放工作在弱过压状态，当回路失谐后，由于阻抗ZL的模值减小，根据负载特性可知，功放的工作状态将向临界及欠压状态变化，此时Ic0和Ic1要增大，而Uc将下降，如图3-24 所示。由图可知，可以利用Ic0或Ic1最小，或者利用Uc最大来指示放大器的调谐。通常因Ic0变化明显，又只用直流电流表，故采用Ic0指示调谐的较多。 图 3-24 高频功放的调谐特性 　　应该指出，回路失谐时直流输入功率P0=Ic0Ec随Ic0的增加而增加，而输出功率P1=UcIc1cos　/2将主要因cos　　因子而下降，因此失谐后集电极功耗Pc将迅速增加。这表明高频功放必须经常保持在谐振状态。调谐过程中失谐状态的时间要尽可能短，调谐动作要迅速，以防止晶体管因过热而损坏，为防止调谐时损坏晶体管，在调谐时可降低Ec或减小激励电压。 3.3 高频功率放大器的高频效应 　　前面分析是以静特性为基础的分析，虽能说明高频功放的原理，但却不能反映高频工作时的其它现象。分析和实践都说明，当晶体管工作于“中频区”(0.5fβf0.2fT)甚至更高频率时，通常会出现输出功率下降，效率降低，功率增益降低以及输入、 输出阻抗为复阻抗等现象。所有这些现象的出现，主要是由于功放管性能随频率变化引起的，通常称它为功放管的高频效应。功放管的高频效应主要有以下几方面。 　　1. 少数载流子的渡越时间效应 　　晶体管本质上是电荷控制器件。少数载流子的注入和扩散是晶体管能够进行放大的基础。少数载流子在基区扩散而到达集电极需要一定的时间τ，称τ为载流子渡越时间。晶体管在低频工作时，渡越时间远小于信号周期。基区载流子分布与外加瞬时电压是一一对应的，因而晶体管各极电流与外加电压也一一对应，静特性就反映了这一关系。 　　功放管在高频工作时 ，少数载流子的渡越时间可以与信号周期相比较，某一瞬间基区载流子分布决定于这以前的外加变化电压。因而各极电流并不取决于此刻的外加电压。 　　现在观察功放在低频和高频时的电流波形变化。设功放工作在欠压状态，为了便于说明问题，假设两种情况下等效发射结　上加有相同的正弦电压　 。少数载流子的渡越效应可以用渡越角ωτ的大小来衡量。图3-25(a)、 (b)是两种情况下的电流波形，图3-25(b)相当于ωτ为10°～20°范围的情况。当　　大于　　时发射结正向导通。近似地看，发射极的正向导通电流取决于 。当基区中的部分少数载流子还未完全到达集电结时， 已改变方向，于是基区中靠近集电结的载流子将继续向集电结扩散，靠近发射结的载流子将受　　反向电压的作用返回发射结。这样就造成发射结电流ie的反向流通，即出现ie0的部分。由于渡越效应，集电极电流ic的最大值将滞后于ie的最大值，且最大值比低频时要小。由于最后到达集电极的少数载流子比ub′e= 时要晚，形成ic脉冲的展宽。基极电流是ie与ic之差，与低频时比较，它有明显的负的部分，而且其最大值也比ube的最大值提前。可以看出基极电流的基波分量要加大，而且其中有容性分量(超前 90°的电流)。 图 3-25 载流子渡越效应对电流波形的影响 (a) 低频时; (b) 高频时 　　从高频时ic、 ib的波形可以看出，高频功放的性能要恶化。由于集电极基波电流的减小，输出功率要下降; 通角的加大，使集电极效率降低。根据经验，在晶体管的“中频区”和“高频区”，功率增益大约按每倍频程6 dB的规律下降。此外，由于基极电流Ib1的超前，功率的输入阻抗Zi呈现非线性容抗。非线性表现为Zi随激励电压Ub的大小而变化; 而电抗分量表示Zi还随频率变化。在高频功放中Zi随激励和频率的变化通常要靠实际测量来确定。 　　2. 非线性电抗效应 　　功放管中存在集电结电容，这个电容是随集电结电压Ube变化的非线性势垒电容。在高频大功率晶体管中它的数值可达几十至一二百皮法拉。它对放大器的工作主要有两个影响: 一个是构成放大器输出端与输入端之间的一条反馈支路，频率越高，反馈越大。这个反馈在某些情况下会引起放大器工作不稳定，甚至会产生自激振荡。另一个影响就是通过它的反馈会在输出端形成一输出电容Co。考虑到非线性变化，根据经验，输出电容为 Cb≈2Cc