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硒砷碲摄像管靶面光电导材料研究 李英杰 白华 张仕 国 (广播科学研究所 ) 摘 要 本文介绍了用于广播电规的硒砷碲摄像管的材料Se、As、Te的选择，a一-Se a—AsSe 的制备 以及这些材料的特性和指标 一 、 引 言 五十年代初，T．s．MOSS等人首先确认了非晶态硒(—se)是光敏的( 。此后 ， 对 — se及其非晶态化合物的研究受到了广泛的重视，取得了一系列瞩 目的进展 。 以非晶 态硒 砷、碲为靶面光电导材料的硒砷碲摄象管的研制成功c2)，可 以说是这个领 域 里 的最杰出的成果之一。为了配合并保证硒砷碲摄象管的研制，笔者对其靶面专用的光电 导材料进行了较为深入和广泛的研究。 — se是暗电阻率极高的P型材料。尽管光电流不太大，但在特定的膜厚范围内，仍表 现有 良好的灵敏度。真空蒸镀所得到的 —se薄膜可 以和Nesa等多种材料的薄膜形成 满 意的异质结。另外，这种材料在诸如输运特性 、光 电流响应时间、光散时和光吸收等特性 方面，也都说明 —Se是一种很有吸引力的阻挡型光 电导摄象管的靶面光电导材料 n、 ( ‘1 。 但是，作为摄象管靶面光电导材料，a—se有两个问题必须解决 ( 、(”、() 1，a—se的玻璃转化温度 (二类相变点 )Tg和析晶温度Tcr都很低，很容 易 软化 和析晶变质。从笔者所测得的DTA曲线可知，a—Se的R =43~C。T =92℃。实际上， 在室温条件下，这种材料就有可能析晶，只不过其析晶速度十分缓慢而 已。 由于这个致 命的弱点，a—se几乎丧失实用价值。 为了解决这个 问题，在n—se中掺．KAs。图 l是我们的研究结果。 由图可知，As的 掺入对于提高a—se的Tg和Tcr收到了良好的效果。 2，a—Se的光 电导分光灵敏度最大值在可见光的高能一侧 。笔者测得的硒砷 碲 摄 象管专用a—Se的光能隙Eo 2．04eV，光电导分光灵敏度最大值在4400A。处，红光响 应几乎等于零。这根本不符合广播 电视用摄象管的要求。为了解决这个 问题，有a— Se 中掺．KTe，以降低其能源，使真光 电导分光灵敏度在可见光范围内构成理想的分布，参 见图2。 一 56 — 如图z所示，掺入适量的Te，可以使a—Se的分光灵敏度的阈值波长从不是 6000A 延伸到7000A以上，使其红光灵敏度达到理想值。 但是，As和Te的掺入导致了 —Se的诸如暗电阻率、输运特性等的劣化，不可避免 地影响了摄象管的特性指标。其劣化和影响程度，一般取决于这两种元素的掺入量。因 此，必须把As和Te的掺入量控制在尽可能少的限度之 内。 再者，为了充份挖掘 “一Se的优 良特性，不至 由于As和Te的掺入而造成显著劣化} 为 了使摄象靶的特性指标达到优 良，还必须严格控制As和Te的靶面纵向掺入部位 ‘”、 (¨ (a)(●)( ‘” ， 。 图1非晶态Se—As系材料As含量 与Tg、Tcr关系 曩擞度 (任意) fnm ，I 图2 口～Se和掺Te的口一Se分光灵敏度 曲线 二、材料的选择 硒砷碲摄象管靶面光 电导层的结构，是 以 —Se为主体，Se、As、Te三种 元 素 沿 着靶面厚度方 向形成特定的分布，参见图 3。 这种结构是将所制备的靶面光电导材料分别放入各 自的蒸发舟里，用真空镀胶的方 法，通过多种参数的控制，将它们蒸镀在靶面上的。因此，必须正确地选择材料。 一 57 — 采羽Se．As