《半导体光电子学》第五章.pdfVIP

第五章：光辐射的探测 利用光电效应和光热效应实现能量的转换，把光辐 射的能量变成了其他形式的能量，光辐射所带有的 信息也变成了其他能量形式(电、热等)的信息。通 过对这些信息 (如电信息、热信息等)进行检测， 实现对光辐射的探测。 §5－1 物质中的光吸收 物质中的光吸收： 光通过物质时，会与其中的电子、激子、晶格振动、 杂质等发生相互作用，从而出现光的吸收现象，即 光的强度随着透入深度的增加按指数规律衰减， I I 0 exp(−αx ) 固体（主要是半导体）中光吸收过程的分类： 本征吸收 晶格振动吸收 自由载流子的光吸收 激子吸收 杂质吸收 本征吸收 电子吸收光子能量后，由价 导带 带跃迁到导带的过程。这种 跃迁主要发生在价带顶部和 导带底部之间，因此产生本 能隙 （禁带） 征吸收的基本条件是光子能 量必须大于或等于禁带宽度 价带 E ，即 g hν ≥E hν g 0 本征吸收限 hν ≥E hν g 0 ν0：能够引起本征吸收的最低频率，相应的 波长为本征吸收光谱中的长波限，表示为： hc 1.24 ( m) λ μ 0 Eg Eg (eV ) 直接跃迁 能量守恒： Ef hν − Ei 动量守恒： hk −hk 光子动量 光子波长200∼1100 nm 电子波长数量级5 nm（T=300K） 准动量守恒：k′=k 直接跃迁（垂直跃迁）：电子垂直地从价带跃迁到导带，跃迁 过程中动量保持不变。 直接带隙半导体：半导体材料的导带极小值与价带极大值对应 相同的波矢。 直接跃迁的吸收系数 α(hν) AP N (hν) if 3 1 (2m ) 2 N (hv) r (hν −Eg ) 2 2π2 h3 ⎧ 1/ 2 hνE ( ) g B hν E