半导体材料（张源涛）6-1、6-2.pdfVIP

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2017-07-13 发布于浙江
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第6章III-V族化合物半导体第6章III-V族化合物半导体吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第六章III-V族化合物半导体 IIIA元素：B 、Al 、Ga、In VA元素：N 、P、As 、Sb 组合形成的化合物15种（BSb除外）目前得到实用的III-V族化合物半导体 GaN GaP GaAs GaSb InP InAs InSb 原子序数之和：由小→大材料熔点：由高→低带隙宽度：由大→小吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料元素 N P As Sb B BN BP BAs 直接6.4eV 间接2.0eV 间接1.5eV Al AlN AlP AlAs AlSb 直接6.2eV 间接2.45eV 间接2.12eV 间接1.6eV Ga GaN GaP GaAs GaSb 直接3.4eV 间接2.26eV 直接1.43eV 直接0.73eV In InN InP InAs InSb 直接0.7eV 直接1.35eV 直接0.45eV 直接0.18eV 吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料与Si相比，III-V族二元化合物半导体的独特性质 1. 带隙较大，大部分室温时＞1.1eV ，因而所制造的器件耐受较大功率，工作温度更高 2. 大都为直接跃迁型能带，因而其光电转换效率高，适合制作光电器件，如LED 、LD 、太阳电池等。 GaP虽为间接带隙，但Eg 较大(2.25eV) ，掺入等电子杂质所形成的束缚激子发光仍可得到较高的发光效率。是红(Zn-O 、Cd-O) 、黄(Bi) 、绿(N)光LED 的主要材料之一 3. 电子迁移率高，很适合制备高频、高速器件吉林大学电子科学与工程学院半导体材料吉林大学电子科学与工程学院半导体材料第六章III-V族化合物半导体第六章III-V族化合物半导体 6-1、III-V族化合物半导体的特性 6-2、GaAs单晶的生长方法 6-3、GaAs单晶中杂质的控制 6