半导体物理学（张宝林）半导体物理第三章A.pptVIP

* 金原子最外层有一个价电子，比锗少三个价电子。在锗中的中性金原子(Au0),有可能分别接受一，二，三个电子而成为Au- 、Au2- 、 Au3- ，起受主作用，引入Ea1、Ea2、Ea3 等三个受主能级。中性金原子也可能给出它的最外层电子而成为Au+ ，起施主作用，引入一个施主能级Ed 。 Ge中的金杂质引入的深能级 图3.21 金在锗中引入的四个能级 * 图3.22 Ge, Si, GaAs中各种杂质的能级 Page 67 * 缺陷能级 点缺陷：间隙中的正（或负离子）以及正（负）离子的空位 间隙中的正离子是带正电的中心。负离子的空位也是正电 中心。束缚一个电子的正电中心是电中性的，这个被束缚的电子很容易挣脱束缚，成为导带中的自由电子。 正电中心具有提供电子的作用，因而是施主。 以离子晶体为例，介绍点缺陷引入的缺陷能级： 正电中心 * 缺陷能级 间隙中的负离子和正离子的空位则是一个负电中心，束缚一个空穴的负电中心是电中性的。负电中心把束缚的空穴释放到价带的过程，实际是从价带接受电子的过程。 负电中心能够接受电子，因而是受主。 负电中心 * 缺陷能级 在离子性半导体中，正负离子的数目常常偏离 化学比。如果正离子多了，就会造成间隙中的正离 子或负离子的空位，它们都是正电中心，起施主作 用。因此半导体是N型的。如果负离子多了，半导 体则是P型。 * 缺陷能级 在离子性半导体中，正负离子的数目常常偏离 化学比。如果正离子多了，就会造成间隙中的正离 子或负离子的空位，它们都是正电中心，起施主作 用。因此半导体是N型的。如果负离子多了，半导 体则是P型。 * 本章重点 晶体能带的形成；晶体中的能量谱值。 有效质量 空穴，性质 能带结构 （Si, Ge, GaAs） 杂质能级和缺陷能级 * 导带： 极小值在[111]方向BZ边界上，即L点。根据对称性，共有8个极小值。但关于原点对称的极小值彼此间相差一个倒格矢，代表同一个状态，因此为4个能谷。 等能面：旋转主轴为111轴的旋转椭球。 二、Ge的能带结构 图3.17(b) * 价带： 三个能带，与Si相似。 两个简并在k＝0处； 一个由于自旋－轨道耦合分裂出去。 二、Ge的能带结构 图3.17(b) 为间接带隙半导体 * Ge的Eg：间接带隙半导体 ☆ 300K时，Ge的Eg＝0.67 eV； * * 三、GaAs的能带结构 导带： 极小值位于 点(k＝0处)，等能面为球面， 。 此外在L点、X点还各有一个极小值,有效质量分别为0.55m0，0.85m0； 室温下， 、L、X三个极小值与价带顶的能量差分别为：1.424eV, 1.078eV, 1.900eV。 在强电场作用下，电子可由k=0的能谷转移到100能谷， 产生转移电子效应。 价带：三个能带，与Si、Ge相似； 重空穴带稍偏离BZ中心。 。 * * GaAs的Eg：直接带隙半导体 ☆ 300K时，GaAs的Eg＝1.424 eV； * 四、Si1-xGex混合晶体的能带 Eg随x的变化关系 IV族元素Si、Ge可以形成连续固溶体,构成混合晶体，其能带结构随合金成分的变化而变化。写为Si1-xGex (0≤x≤1)，x称为混晶比(或固相组分). 在0≤x≤0.85时，其能带结构与Si类似； 0.85≤x≤1时，能带结构与Ge类似。 因为当Si含量小时，111能谷为导带底;随着Si含量的增大，111导带极值和100导带极值以不同速率相对价带顶 上移，111极值上升较快，在x＝0.85时，两种能谷达到同一水平，在Si含量大于0.15后，100能谷代替111能谷为导带底，能带变为类硅型的。 * 五、III－V族化合物半导体的能带： 1、GaAsxP1-x 2、Ga1-xInxAsyP1-y GaP GaAs InP InAs GaInAsP的Eg与组分的关系 实线为等带隙线，虚线为等晶格常数线。 阴影表示该组分内材料为间接带隙半导体 GaAsP的Eg与组分的关系 实线表示间接带隙半导体 * 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 1 2 3 4 5 6 7 Band gap energy (eV) Bond length　(?) AlN GaN MgS MgSe ZnS InN ZnSe CdTe InP GaAs