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半导体物理习题课-第九章 李贤斌 2011-12-31 9.1 对于金属-氧化物-半导体场效应晶体管。要利用半导体表面附近形成的强反型层作为电导沟道。以P型半导体为例，强反型层开始出现的条件是：表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度。 （1）画出这种情况下的能带图； （2）证明：开始出现强反型层，表面势 为 这里 表示半导体内部本征费米能级 与费米能 级 之差。 解：（1）能带图： （2）强反型层出现要求：半导体表面处的电子浓度等于体内的多子浓度。 9.2 一个均匀掺杂的P型半导体（图），受主浓度为Na, 相对价电常数为 。 （1）利用耗尽层近似。求出表面空间电荷区中的电势场分布V(x)。 （2）证明：空间电荷面密度Qsp和空间电荷区宽度x0分别为 解:(1) 耗尽近似：认为空间电荷区静电荷为离化的施主或者受主 ，这里静电荷密度为： 由泊松方程： (2) 表面势 得证 空间电荷的面密度： 9.3 设P型硅中受主浓度Na=1.5X1016 cm-3。试计算开始出现强反型层时的表面势和空间电荷区宽度。（硅的相对介电常数为12）。 解：在P型硅中 (1) 因为强反型，表面电子浓度等于体空穴浓度。 （2）空间电荷区宽度 9.4 对于施主浓度为Nd的N型半导体。试证明：开始出现强反型时，表面空间电荷区中恰好变为本征半导体的位置与空间电荷区边界的距离为 证明:对于N型半导体，在耗尽层近似下（根据泊松方程）： 强反型 得证 9.5 一个P型半导体，在表面存在施主型表面态，他们均匀地分布在导带底和本征费米能级之间，表面态密度为Ns (cm-2eV-1)是常数，在表面态使半导体表面恰好为本征时，求出Ns与受主浓度Na之间的函数关系。 思路 表面恰好为本征半导体 电中性条件 * *
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