“1111”型稀磁半导体的研究进展-浙江大学物理系.PDF

中国科学: 物理学 力学 天文学 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica 评 述 “1111” 型稀磁半导体的研究进展 丁翠, 宁凡龙∗ 浙江大学物理系, 杭州310027 *联系人, E-mail: ningfl@ 收稿日期: 2014-05-20; 接受日期: 2014-07-29 国家自然科学基金(批准号:和重点基础研究发展计划(编号: 2011CBA00103, 2014CB921203)资助项目 摘要 我们成功地制备了载流子和自旋分离的“1111” 型块材稀磁半导体(La,AE)(Zn,TM)AsO (AE = Ba, Sr; TM = Mn, Fe)居里温度T 可以达到40 K. 我们研究了载流子和局域磁矩对铁磁有序的调制作用, 在(La Sr )(Zn Mn ) C 1−x x 09 01 AsO (x = 0.10, 0.20, 0.30) 中, 控制Mn 的浓度为10%, 改变Sr 的掺杂浓度, 当Sr 的掺杂量为10%时, 我们可以观测到∼ 30 K 的铁磁转变温度; 而当Sr 的掺杂量达到30% 时, 铁磁转变温度和有效磁矩都大幅度地降低. 我们运用缪子 自旋共振和中子散射等微观测量手段研究了该系列材料的自旋动力学, 缪子自旋共振的测量表明铁磁有序转 变发生在整个样品内, 即样品是块材稀磁半导体; 缪子自旋共振测量得到的“1111” 型稀磁半导体静态局域场 振幅a 与居里温度T 的关系和(Ga,Mn)As, “111”型Li(Zn,Mn)As, 以及“122” 型(Ba,K)(Zn,Mn) As 一致, 表明这些体 S C 2 2 系拥有相同的磁性起源机制. 我们对该系列稀磁半导体的研究有利于进一步揭示包括(Ga,Mn)As 在内的稀磁 半导体的磁性起源机制. 关键词 载流子, 自旋, 块材, 稀磁半导体, SR, 中子散射, 铁磁有序 PACS: 75.50.Pp, 75.47.Lx, 75.30.Cr doi: 10.1360/SSPMA2014-00171 1 引言 VI族等半导体中掺杂磁性过渡族金属元素形成的稀 [2–5] 计算机是20世纪改变人类生活最重要的发明之 磁半导体将其研究推向了高峰 . 但在这类稀磁半 一, 而计算机的发展很大程度上得益于对半导体的 导体中, Mn离子替代等价的金属离子, 只引入了局域 研究, 理解和应用. 普通计算机只操作了半导体中电 磁矩, 局域磁矩之间的反铁磁性超交换作用使这类 子的电荷自由度, 而信息储存却依赖于磁性存储器 稀磁半导体在不同的磁性原子浓度和不同温度下的 [1] 磁性行为各异. 另外, 由于载流子浓度小, 此类稀磁 件中电子的自旋自由度 . 稀磁半导体集半导体的 电学性质和磁学性质于一身, 如果能应用于计算机 半导体的导电性很难控制, 很难掺杂成n型或p 型半 [1] 中, 或许能大大提高计算机的运行速度, 将给整个社 导体 . 会带来很大的效益. 所以, 稀磁半导体的制备和研究 20世纪90年代初, 在III-V族半导体中掺入Mn, 是一项比较有意义的工作. 将铁磁转变温度提升至∼170 K [6, 7], 使稀磁半导 稀磁半导体的研究经历了半个多世纪, 在II- 体的研究再次成为热点. 提高制备技术后, 在Mn离 引用格式: