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基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的 - 发光学报
第３８卷 第６期 发 光 学 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ６
２０１７年６月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊｕｎｅꎬ２０１７
文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０６￣０８２８￣０７
基于Ｘ射线的晶圆级器件辐照与
辐射效应参数提取设备的设计与实现
∗
荀明珠ꎬ李豫东 ꎬ郭 旗ꎬ何承发ꎬ于 新ꎬ于 钢ꎬ文 林ꎬ张兴尧
(中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室ꎬ新疆电子信息材料与器件重点实验室ꎬ
中国科学院新疆理化技术研究所ꎬ新疆 乌鲁木齐 ８３００１１)
摘要:基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势ꎬ对微纳米单元器件进行辐射
效应参数提取是实现设计加固的前提ꎮ 为了摒除参数提取过程中封装引入的影响ꎬ实现在线参数测试ꎬ本文
设计了一套晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取试验装置ꎬ兼备晶圆级器件电离总剂量辐照、器件参数在线
测试分析功能ꎬ并且具有通用性强、测量范围宽、结构一体化、操作自动化等特点ꎮ 对设备在５０ ｋＶ管压下产
生的Ｘ射线能谱、剂量率、束斑的测量以及对晶圆级ＭＯＳ器件进行Ｉ￣Ｖ、Ｃ￣Ｖ、低频噪声特性的测试分析结果表
明ꎬ该设备符合ＡＳＴＭ Ｆ１４６７测试标准ꎬ且能满足晶圆级器件辐射效应参数提取要求ꎬ可为大规模集成电路抗
辐射设计加固提供良好的试验条件ꎮ
关 键 词:抗辐射加固ꎻ试验装置ꎻ晶圆级器件ꎻＸ射线辐照ꎻ辐射效应ꎻ参数提取
中图分类号:ＴＰ３９４.１ꎻＴＨ６９１.９ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０８２８
Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｄｅｖｉｃｅ Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ ａｎｄ
Ｔｈｅ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｘ￣ｒａｙ Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ
∗
ＸＵＮ Ｍｉｎｇ￣ｚｈｕꎬＬＩ Ｙｕ￣ｄｏｎｇ ꎬＧＵＯ ＱｉꎬＨＥ Ｃｈｅｎｇ￣ｆａꎬＹＵ ＸｉｎꎬＹＵ ＧａｎｇꎬＷＥＮ ＬｉｎꎬＺＨＡＮＧ Ｘｉｎ￣ｙａｏ
(Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ ＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｕｎｄｅｒ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓꎬ
ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＸｉｎｊｉａｎｇ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＭａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ
ＤｅｖｉｃｅｓꎬＸｉｎｊｉａｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ ＣｈｅｍｉｓｔｒｙꎬＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＵｒｕｍｑｉ８３００１１ꎬＣｈｉｎａ)
∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｌｙｄｏｎｇ＠ｍｓ.ｘｊｂ.ａｃ.ｃｎ
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｈａｒｄｅｎｉｎｇ ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ｓｔａｎｄａｒｄ
ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｔｅｎｄｅｎｃｙ ｉｎ ｔｈｅ ｆｕｔｕｒｅ. Ｅｘｔｒａｃｔｉｎｇ ｔｈｅ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ
ｎａｎｏ ｄｅｖｉｃｅｉｓｔｈｅｆｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅｒａｄｉａｔｉｏｎｈａｒｄｅｎｉｎｇ. Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｅｌｉｍｉｎａｔｅｔｈｅｉｎ￣
ｆｌｕｅｎｃｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｂｙ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ ｔｈｅ ｐａｒａｍ
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