第7章光学光刻.PDF

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第7章光学光刻

第 章 光学光刻 7 第第 章章 光光学学光光刻刻 77 第 章 光学光刻 7 第第 章章 光光学学光光刻刻 77 7.1 光刻概述 77..11 7.1 77..11 光刻概述 光源 曝光 光刻 曝光方式 刻蚀 评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率、对准精度和 生产效率。 光刻工艺流程 涂光刻胶(正) 选择曝光 选择曝光 1 2 显影(第 次图形转移) 刻蚀(第 次图形转移) 11 22 g 线:436 nm gg 443366 nnmm UV 紫外光(UUVV) i 线:365 nm ii 336655 nnmm KrF 准分子激光:248 nm KKrrFF 224488 nnmm DUV

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