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第43 卷第6 期 红外与激光工程 2014 年6 月 Vol.43 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun.2014 BDI 型甚长波 IRFPA 读出电路研究与设计 1,2 1 1 1 1 立超 ，陈洪雷 ，李 辉 ，黄爱波 ，丁瑞军 (1. 中国科学院上海技术物理研究所 国防创新实验室，上海 200083 ； 2. 中国科学院大学，北京 100049) 摘 要 针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大，且工作在高背景环境下等特点， 设计了一种具有记忆功能背景抑制的32 32 甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采 基于高增益 负反馈运放的缓冲直接注入级(BDI)结构作为输入级，大幅降低了输入阻抗，提高了注入效率，并使探测器 处于稳定偏压状态。同时，该电路采 具有记忆功能的背景抑制电路，有效提高了积分时间和红外焦平面 。基于 完成 的信噪比(SNR)，改善了动态范围和对比度 HHNEC CZ6H0.35 滋m 1P4M 标准CMOS 工艺， 了电 ： ，输出范围大于 路的流片制造。实测结果表明 50K 低温下电路功能正常 2V，读出速率达到2.5 MHz，RMS 噪声小于0. 3 mV，线性度优于99%，功耗小于100 mW。 ； ； ； ； 关键词 甚长波红外焦平面 读出电路 缓冲注入级 背景抑制 高增益运放 中图分类号 TN215 文献标志码 A 文章编号 1007-2276 (2014) 06-1782-06 Improved readout circuit with BDI structure for VLW IR FPAs 1,2 1 1 1 1 Hao Lichao , Chen Honglei , Li Hui , Huang Aibo , Ding Ruij un (1. Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors , Shanghai Institute of Technical Physics , Chinese Academy of Sciences , Shanghai 200083, China; 2. University of Chinese Academy of Sciences , Beij ing 100049, China) Abstract: A 32 32