高热吸收热电元件封装技术之改善研究---应用於太阳热能发电与矽.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 高熱吸收熱電元件封裝技術之改善研究應用於太陽熱能 發電與矽太陽能電池元件結合之應用(II) 研究成果報告(完整版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 100-2623-E-002-004-ET 執 行 期 間 ：100年01月01日至100年12月31日 執 行 單 位 ：國立臺灣大學物理學系暨研究所 計 畫 主 持 人 ： 王立民 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：曾俊啟 大專生-兼任助理人員：陳彥齊 公 開 資 訊 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，1年後可公開查詢 中 華 民 國 101 年 05月 08 日 中 文 摘 要 ： 本研究利用高熱傳導氮化鋁(AlN)取代一般熱電元件(TEC1- 3103-40×40 mm2, 3.4A/3.5V, TEC)的高溫熱板，量測其對應 之輸出功率p與轉換效率改變，其結果則與TEC1熱電元件 比較並討論之。此外，結合多晶矽太陽能電池，在照光光度 215 mW/m2照射造成多晶矽太陽能電池表面平衡溫度33℃情 形下，產生氮化鋁熱電元件溫差5℃與最大4.1 mW之功率輸 出，而此時多晶矽太陽能電池最大之輸出功率為73.5 mW， 亦即增加約5.6%之熱能回收效率R。 中文關鍵詞： 熱電元件、轉換效率、氮化鋁、多晶矽太陽能電池 英 文 摘 要 ： 英文關鍵詞： 行年度 (II) Improvement of package technique for high-absorption thermoelectric devices – applying to the associated solar thermoelectric with silicon solar cells (II) 類 立 參 行 立理 1823 年 Seebeck歷年 利 料率 5% 利 (AlN) 料 (TEC1-3103-40×40 mm2, 3.4A/3.5V, TEC) 臨 利 料 量 率p 率η T T 冷度 h c TEC1 論 度 215 mW/m2 率 度 33 率p利 (1) 來[1][2] 54.1 mW 率 率 73.5 mW 5.6%率R 率 Abstract In this study, high-thermal-con